CEU6060R-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

一、产品简介：

CEU6060R-VB 是由 VBsemi 生产的 N-Channel 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装。它具有正压 60V、电流 45A 和 RDS(ON) 为 24mΩ@VGS=10V 的特性。具有 VGS=20V 和阈值电压 Vth=1.8V。

二、详细参数说明：

- 型号: CEU6060R-VB
- 品牌: VBsemi
- MOSFET 类型: N-Channel
- 最大正压: 60V
- 最大电流: 45A
- 开启电阻: RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V
- 门极-源极电压: VGS=20V
- 阈值电压: Vth=1.8V
- 封装: TO252

三、应用领域及模块示例：

1. 电源管理系统：CEU6060R-VB 适用于开关电源、DC-DC 转换器和电池管理系统中的功率开关和电流控制，可用于各种便携式设备、家用电器和工业自动化设备。
2. 电动车控制系统：在电动车的驱动系统中，这款 MOSFET 可以用作电机驱动器、电池管理器和充电器的功率开关，实现高效的能量转换和电动车控制。
3. LED 照明应用：由于其高电流和低开启电阻，CEU6060R-VB 可以用于 LED 驱动器和照明系统中的功率开关，实现高亮度照明和颜色控制。
4. 工业自动化：在工业控制系统和自动化设备中，该器件可以用于驱动执行器、传感器和电磁阀等负载，实现高效的电力转换和控制。