CEU6186-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

产品简介：
CEU6186-VB是VBsemi品牌的N—Channel沟道场效应晶体管，具有60V的耐压能力和45A的电流承受能力。其关键参数包括RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V，VGS=20V，以及阈值电压Vth为1.8V。该晶体管采用TO252封装，适用于多种应用场合。

详细参数说明：
- 品牌: VBsemi
- 型号: CEU6186-VB
- 沟道类型: N—Channel
- 耐压: 60V
- 电流承受能力: 45A
- RDS(ON): 24mΩ @ VGS=10V
- 阈值电压(Vth): 1.8V
- 封装: TO252

应用领域及模块示例：
1. 电源管理模块：CEU6186-VB可用于电源管理模块中的功率开关、电流控制器等，如用于便携式电子设备、工业电源系统等。
2. 电动汽车：在电动汽车的电源管理系统中，该型号可用作电池保护开关和电机驱动器，确保电动汽车的高效能和安全性。
3. 工业控制：适用于工业控制系统中的电源开关、电流控制器等，如用于自动化生产线、机器人等。
4. 电源逆变器：用于太阳能和风能等可再生能源电源系统中的逆变器模块，将直流电转换为交流电，以供电网或其他设备使用。
5. 电源保护模块：可用于各种电路中的过压、过流保护，确保电路的安全运行，包括电源逆变器、电源管理单元等。

通过以上示例，可以看出CEU6186-VB适用于多个领域和模块，包括但不限于电源管理、电动汽车、工业控制、电源逆变器和电源保护模块。