D4187-VB一种P—Channel沟道TO252封装MOS管

产品简介：
D4187-VB是VBsemi品牌的P—Channel沟道场效应晶体管，具有-40V的耐压能力和-65A的电流承受能力。其关键参数包括RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V，VGS=20V，以及阈值电压Vth为-1.6V。该晶体管采用TO252封装，适用于高功率、低压降的功率管理应用。

详细参数说明：
- 品牌: VBsemi
- 型号: D4187-VB
- 沟道类型: P—Channel
- 耐压: -40V
- 电流承受能力: -65A
- RDS(ON): 10mΩ @ VGS=10V
- 阈值电压(Vth): -1.6V
- 封装: TO252

应用领域及模块示例：
1. 电源管理模块：D4187-VB可用于电源开关模块、功率放大器等，如用于电池保护电路、DC-DC转换器等。
2. 电动工具：适用于电动工具的功率开关模块，如电钻、电锤等。
3. 电机驱动器：用于高功率、低压降的电机驱动器，如电动汽车电机控制器、电动车辆电源管理等。
4. 电源逆变器：用于高功率的电源逆变器模块，将直流电转换为交流电，如太阳能逆变器、风能逆变器等。
5. 电源保护模块：可用于各种高功率电路中的过压、过流保护，确保电路的安全运行，包括电源逆变器、工业控制系统等。

通过以上示例，可以看出D4187-VB适用于多个领域和模块，包括但不限于电源管理、电动工具、电机驱动器、电源逆变器和电源保护模块等。