FDC645N-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

产品简介：
FDC645N-VB是VBsemi品牌的N—Channel沟道场效应晶体管，具有30V的耐压能力和6A的电流承受能力。其关键参数包括RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V，VGS=20V，以及阈值电压Vth为1.2V。该晶体管采用SOT23-6封装，适用于低功率、中等功率的应用场景。

详细参数说明：
- 品牌: VBsemi
- 型号: FDC645N-VB
- 沟道类型: N—Channel
- 耐压: 30V
- 电流承受能力: 6A
- RDS(ON): 30mΩ @ VGS=10V
- 阈值电压(Vth): 1.2V
- 封装: SOT23-6

应用领域及模块示例：
1. 小功率电源管理模块：FDC645N-VB适用于小功率电源管理模块，如USB充电器、小型逆变器等。
2. 低压、中等功率的DC-DC转换器：可用于低压、中等功率的DC-DC转换器，如便携式电子设备、电池供电系统等。
3. 电池保护电路：用于电池保护电路中的电池充放电控制、过载保护等功能，如便携式电子设备的电池管理系统。
4. 低功耗电机驱动器：适用于低功率的电机驱动器，如小型风扇、无刷直流电机等。
5. LED驱动器：用于低功率LED照明系统的LED驱动器，如小型手电筒、LED指示灯等。

通过以上示例，可以看出FDC645N-VB适用于多个领域和模块，包括但不限于小功率电源管理、DC-DC转换器、电池保护、电机驱动和LED驱动器等。