VD1021,内置高精度电压检测电路和延迟电路以及内置MOSFET,是用于单节锂离子/锂聚合
物可再充电电池的保护IC。
VD1021具备如下特点:
高精度电压检测电路
过充电检测电压 4.30V 精度±50mV
过充电释放电压 4.15V 精度±70mV
过放电检测电压 2.45V 精度±100mV
过放电释放电压 3.00V 精度±100mV
各延迟时间由内部电路设置
过充电检测延迟时间 典型值100ms
过放电检测延迟时间 典型值100m
放电过流检测延迟时间 典型值20ms
低耗电流
工作模式 典型值1.5μA(VDD=3.5V)
过放电模式 典型值0.5μA(VDD=2.0V)
允许向0V电池充电。
导通内阻常态48m
Ω
,3.0A过流保护
宽工作温度范围:-40℃~+85℃(6)
小型封装:SOT-23
本IC适合于对1节锂离子/锂聚合物可再充电电池的过充电、过放电和过电流进行保护。