Bipolar工艺和BiCMOS工艺的区别与关系

Bipolar集成电路的基本制造工艺，可以分为两类：一类是在元器件间要做额外的隔离区。隔离的方法有多种，如PN结隔离、全介质隔离及PN结一介质混合隔离等。采用这种制造工艺的Bipolar集成电路有线性/ECL、TTL/DTL及STTL电路，这些电路的制造工艺基本相同，其中线性/ECL比TTL电路减少了掺金工序，STTL电路工艺虽不掺金，但是多了制作肖特基势垒二极管（SBD）的工序。另一类为元器件之间的自隔离。I2L电路采用了这种制造工艺。

对于需要额外隔离的Bipolar集成电路制造技术，其要点是：通过隔离把硅片分成一定数目互相绝缘的隔离区；在各个隔离区内制作晶体管、电阻等元器件；制作 互连线，把各个元件按照一定功能连接起来。目前，最主要的Bipolar集成电路制造技术为PN结隔Bipolar工艺

采用Bipolar工艺可以制造出高速、高驱动能力的集成电路，如电源管理芯片、电动机驱动芯片等，但是Bipolar集成电路的功耗和集成度无法满足系统集成的要求，也不能满足无刷电机驱动、LED驱动控制等芯片的要求。CMOS工艺能制造低功耗、高度集成和抗干扰能力强的CMOS集成电路但是速度低、驱动性能差是其最大的弱点，只能满足数字集成电路和小功率模拟集成电路的需要。BiCMOS工艺是将Bipolar的器件和CMOS器件同时制造在同一芯片上，综合了Bipolar器件的高跨导、强驱动能力和CMOS器件的低功耗、高度集成的优点，为高速、高集成度、高性能及强驱动的集成电路发展开辟了一条新的道路。

目前，BiCMOS主要用于无刷电机驱动、RF电路、LED控制驱动、IGBT控制驱动、IGBT控制驱动等芯片设计，对于高度集成的片上系统（SOC）芯片设计，CMOS工艺还是最理想的选择。按照基本工艺基础，BiCMOS又可以分为以CMOS工艺和以Bipolar工艺为基础的BiCMOS工艺，用于实现不同应用的集成电路。以CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺对保证MOS器件的性能比较有利，而以Bipolar工艺为基础的BiCMOS工艺对保证Bipolar器件的性能比较有利。

BCD工艺、CMOS工艺、BiCMOS工艺

BCD工艺：BCD是一种单片集成工艺技术。1986年由意法半导体（ST）公司率先研制成功，这种技术能够在同一芯片上制作双极管bipolar，CMOS 和DMOS 器件，称为BCD工艺。

BCD 工艺技术的发展不像标准CMOS 工艺那样，一直遵循Moore 定律向更小线宽、更快的速度方向发展。BCD 工艺朝着三个方向分化发展：高压、高功率、高密度。

BCD工艺集成了Bipolar、CMOS和DMOS器件，综合了高速、强负载驱动能力、集成度高和低功耗的优点，可提高系统性能，具有更好的可靠性。电子产品功能与日俱增，对于电压的变化、电容的保护和电池寿命的延长要求日益重要，而BCD所具备的高速节能的特点满足对高性能模拟/电源管理芯片的工艺需求。