可变增益放大器

        FET/HEMT的放大器可以通过控制Vg来改变其增益。一般Vg越大，G越大。但是Vg的改变会导致晶体管输入输出阻抗的改变，导致原始偏置条件的改变，进而影响G-flatness，B和IP3等，这一问题可以通过平衡结构或反馈/分布结构来校正。此外，需要注意的是G不随Vg线性改变的特性，需要通过级间插入可变衰减器或者4~6bit数字控制的开关衰减单元来实现G随Vg线性改变。
        可变衰减器：它的引入会带来其他参数的变化，例如NF\IIP3\OIP3\Pout\PAE。对于NF\PAE而言，三级放大器可以将可变衰减器放到第二级之后。

        开关衰减单元：小型(0.5dB~1dB)衰减器可通过集成FET实现；中等(2dB~4dB)使用嵌入式FET-T形网络；大型衰减器使用宽带SPDT开关实现PI或T形固定衰减器。以上衰减其带来的相位改变需要通过路径延迟来补偿。以下给出上述的3中开关衰减单元。