WP947529973的博客

原创 接口EMC防护设计思想

首先，GDT的反应速度较慢，但是其泄放能力很强，泄放电流大，能够在大能量干扰引入时首先泄放掉大部分能量，但是因其反应速度比较慢，所以想让它起主要作用就要将其放置最前端，以最快速度接触到干扰，其后电阻再将GDT残留能量以分压形式消耗掉一部分，同时因电阻的存在导大能量干扰进入系统会将电阻及其后端认为是高阻抗通路，进而寻求更低阻抗路径泄放（GDT），当经过电阻的剩余残余能量继续走下去，会遭遇钳位电压较低，反应较快的TVS，进一步泄放，并将其电压较稳定的钳位到一个安全范围内，电容再参与泄放一些低电压高频的干扰能量，

原创 串口总结-TTL/RS232/RS422/RS485

异步串行通信方式：异步串行通信是指通信双方使用各自的时钟控制数据的发送和接收过程。同步串行通信方式：同步串行通信需要通信双方在同一时钟的控制下，同步传输数据。通信速率：9600、19200、38400、57600、115200…RS485应用：首尾端接120Ω电阻做阻抗匹配、A线上拉、B线下拉。RE：接收使能信号 低电平使能。DE：发送使能信号 高电平使能。RS485自动收发控制电路。

原创 网口物理层分析-MII/RMII/GMII/RGMII

网口物理层分析MII/RMII/GMII/RGMII

原创 PCB_GND和外壳隔离方案

在传统的隔离设计中，一般会在GND和机壳螺丝之间串联RC（1nF/2000V、1MΩ）方案，多数设计中会在每一个螺丝孔处放置一个R+一个C来使用，偶然间在某处看到过有人说同一地平面的话只需要一个R就足够了，经实测4颗螺丝位置放置4颗1nF/2000V+4颗2MΩ电阻方案与4颗1nF/2000V+1颗1MΩ电阻方案表现确实一致，其原理是C主要用于泄放ESD能量，在此时R几乎不体现作用，R的作用为在高能量干扰源消失后用于保证GND与机壳的等电位连接，泄放残留能量，避免静电积累

原创 数字地/模拟地是否需要分割评估流程图

原创 继电器消弧电路及参数选择

继电器消弧电路及参数选择。

原创 器件知识理解-碎记-1

直流电压偏置降额：考虑到电容器的动态特性（以非线性方式存储和耗散电荷），有些极化现象在不施加外部电场的情况下也可能会出现；这就是所谓的“自发极化”。自发极化是由材料的不活跃电场引起的，不活跃电场为电容器提供初始电容。对电容器施加外部直流电压会生成电场，生成的电场会反转初始极化，然后将剩余的有源偶极子“锁定”或极化到位。极化与电介质内电场的方向有关。降额原因：直流电压偏置降额、温度变化降额或制造商容差。

原创 开关电源中使用双二极管并联器件“MBR30100CT”作用分析

R21 C12 两个器件起到吸收高次谐波保护二极管的作用。

原创 高速差分信号（PCIe）的耦合电容为什么要放在TX端？

但是当距离不远时，区别不是特别大，因此，pcie标准中，对于板级的电容放置并没有要求。3、当加入连接器时，串扰和寄生电容/电感增加，互联线上损耗增多，其损耗减小了低频分量信号幅度，对于高频虽有减小但是减小幅度倍数没有低频多，如果放置在rx端，低频信号就衰减的太多了，但是，并不是不行；综上：因为：连接器带来的信号干扰+去加重技术，导致低频信号幅度加剧衰减，没有和高频信号幅值同等衰减，信号整体“形状”发生畸变了，在这种情况下，要适当的调整低频信号衰减，因此，放置在tx端是非常必要的！但是，也并不是不行；

转载 关于运放的SR（压摆率）和GBP（增益带宽积）

关于运放的SR（压摆率）和GBP（增益带宽积）