垂直腔面发射激光器(VCSEL)

垂直腔面发射激光器(VCSEL)是数据中心和高性能计算机 (HPC) 中基于多模光纤 (MMF) 的光链路的主要光源。

我们现在称之为 VCSEL 的设备,使用半导体分布式布拉格反射器 (DBR) 作为镜子的开创性想法,通过将光学腔内的增益区域与两个高反射 DBR 组合以形成垂直谐振器来构建的。光则是沿着垂直于晶圆的外延生长方向输出。如下图所示:

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其中,增益区域主要是一组一个或多个 QW 或量子点片,它们聚集在一起并位于垂直谐振器谐振时驻波的中心波腹处,以提供有效的光学放大。DBR由高低折射率材料的交替层组成,其中每层的光学厚度为四分之一波长。DBR反射镜的功率反射率在谐振设计波长处为 0.99 或更大。顶部和底部金属触点将电流注入中央有源增益区。

VCSEL 器件有两种基本结构,一种是顶发射结构:采用 MOCVD 技术在n 型GaAs 衬底上生长而成,以 DBR 作为激光腔镜,量子阱有源区夹在 n-DBR 和 p-DBR 之间。另一种是底发射结构,一般用于产生 980 至 1100 nm 波段,通常将衬底减薄到150μm 以下以减少衬底吸收损耗,再生长一层增透膜以提高激光光束质量,最后将增益芯片安装在热沉上。

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这种独特的器件结构与边缘发射激光器非常不同,与其他类型的激光二极管相比,小腔体体积带来了低阈值电流、高量子效率和低电流下的高速调制等优点。并有利于耦合到光纤和其他光学器件。表面发射还可以实现大规模的二维(2D)VCSEL。

当前常见的850 nm 波长是基于使用标准 OM3、OM4 或 OM5 等MMF系统的数据通信标准。但对于短波分复用 (SWDM)和自由空间光通信,980 至 1100 nm 范围内发射波长的 VCSEL 对于数据通信将变得越来越重要。

经OFC授权发布

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