新型EUV光刻胶-CSDN博客

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EUV光刻胶是半导体制造工艺中使用的光敏材料，特别是在先进的光刻技术中。这些材料必须能够承受高能EUV光子，并提供高分辨率的图案化能力。开发EUV光刻胶材料的一些挑战是，它们需要对短波长高度敏感，实现高分辨率对于在3nm下生产复杂和小规模的图案至关重要，最大限度地减少线边缘粗糙度，并且除气（污染）给制造商带来了维持生产的问题。

这些创新材料通常被归类为化学放大光刻胶（CAR）、非化学放大光刻胶、无机 EUV 光刻胶和混合 EUV 光刻胶，具体取决于其配方或成分。当暴露在EUV光下时，它们会发生化学或物理变化，从而能够将图案准确地转移到表面上。

EUV光刻胶材料是光敏物质，当暴露于高能EUV光子时会发生化学变化。EUV光子从光敏化合物中产生光酸。这种酸催化抗蚀剂聚合物中的脱保护反应，使其更易溶于显影液。扩增的反应可提高灵敏度并实现高分辨率图案化。随着半导体节点向更小的规模发展，保持分辨率、灵敏度和图形保真度变得更加复杂和具有挑战性。目前正在研究开发新的材料、机制和加工技术，以应对这些挑战并实现进一步的小型化。

极紫外光刻胶材料的种类

化学放大光刻胶：化学放大光刻胶是最常用的EUV光刻胶。它们采用光酸发生器（PAG），在暴露于 EUV 光子时产生酸。这种酸催化光刻胶中的化学反应，导致显影过程中暴露区域的溶解。CAR 以其高灵敏度而闻名，使其适用于低剂量 EUV 暴露并提高半导体制造过程中的吞吐量。它们可能会在光学器件、显示器和先进封装中找到应用。