晶体表面原子结构和一篇论文

校历第十七周计划（12.16-12.22）：晶体表面原子结构和一篇论文

关于Si（001)表面结构几种模型，画图软件采用visio。

12.16-12.18

样品si晶圆被加热到1170k 3分钟以去除氧化层，然后以2-3 K/s的速度慢慢冷却到室温，样品在室温下呈现(2x1) 结构。在200k左右发生了有序-无序转变。发生了(2 x 1)到c(4 x 2)的转换。

上述来源：ORDER-DISORDER TRANSITION ON Si(001): c(4 x 2) TO (2 x 1)

第十四周周报中提到，si（001）表面一直保持2 x 1结构到1440K，900 K以下的表面结构由不对称二聚体组成。高于900 K的表面结构将转换为对称的二聚体结构。二聚体结构在1485 K处断裂，在1660k时表面熔化。

上述来源：https://blog.csdn.net/X553163076/article/details/103247527

两步工艺在Si衬底上生长GaAs层:首先在低温（673.15-773.1K）下沉积成核层，然后是高温（873.15-973.15K)以生长高质量的材料。

上述来源：Epitaxial growth of antiphase boundary free GaAs layer on 300 mm Si(001) substrate by metalorganic chemical vapour deposition with high mobility

Si晶胞结构如下图，垂直方向上来看共有五层原子，第一层和第五层原子相同，故只画第五层，从第二层开始画。其俯视图和侧视图如图2所示。经简单的推理计算，第1、3层原子在(001)晶面对角线处的1/4处。标红色的为一个Si晶胞的俯视图。图3为si（001）表面（2x1）结构模型。

温度降低到200k以下时，si（001）表面（2x1）结构开始向（4x2）和（2x2）结构转换。第一层的一个原子向上升。使得相邻的第二层的两个原子相互靠近，相反，与上升的原子相邻的另外一个第一层原子周围的第二层原子相互远离。图4为si（00）-（4x2）结构的俯视图和侧视图。图5为Si(001)-(2x2)表面结构的俯视图和侧视图。

问题：生长砷化镓实在高温下生长的，si衬底结构此时为（2x1）结构。是不是不用考虑si(001)-(2x2)和si(001)-(4x2)结构？

12.19-12.20

• Island and step structures on molecular beam epitaxy grown Si(001) surfaces

  25 August 1989

背景：

低温分子束外延生长半导体结构，470K下外延生长的层质量很差.

本文研究：

衬底温度为750k时，讨论相关生长机制。STM作为观察设备。

实验方法：

生长速率为1ML/min，压力为1x10^7Pa。

晶圆片在1450k温度下进行热清洗，以25k/min的速度冷却，750K下沉积不同厚度的Si薄膜，沉积后将样品猝火至室温并转移到显微镜下观察。

结果分析：

1450k左右退火的SI表面干净且台阶规则分布。台阶形状出现两种，二聚体链平行的台阶是直的（A型），垂直的是粗糙的（B型），在750k时B型台阶优先生长，生长优先发生在二聚体链末尾。沉积约0.5 ML Si后，A型台阶几乎完全消失。出现规则的双原子台阶，如图一所示。

沉积1.5ML之后如图2显示，大多数台阶是粗糙的B型台阶，且具有双原子台阶高度。另外可以看到许多与台阶边缘接触的岛，这是岛的阶梯式流动和成核过程的延长造成的。

 

如图3所示。反相边界是一条与岛屿平行的暗线，只有一个原子宽度，在岛的反相边界边缘的二聚体是弯曲的，岛的相反边缘的二聚体是弯曲的。