open-drain和push-pull的上拉速度

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文章标签： 单片机 嵌入式硬件
于 2022-08-12 23:16:09 首次发布
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本文探讨了嵌入式硬件中open-drain和push-pull两种IO结构的区别，重点分析了它们的上拉速度对传输速率的影响。push-pull结构能够快速切换高低电平，适合高速传输；而open-drain结构由于需要外部上拉电阻，存在RC延时效应，可能影响信号质量，尤其在高速传输时需注意。
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前言

一般IO有open-drain和push-pull两种结构，两种IO结构不同，上拉速度也不一样，有时在选择IO口采用哪种方式时要考虑上拉速度能不能满足IO口的传输速率要求。

一、push-pull结构

推挽结构：使用两个三极管或 MOSFET，以推挽方式存在于电路中。电路工作时，两只对称的开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小、效率高。

输出高电平：向负载灌电流。在这里插入图片描述
输出低电平：从负载拉电流。
在这里插入图片描述

push-pull既可以向负载灌电流，也可以从负载抽取电流。推拉式输出级既提高电路的负载能力，又提高开关速度。
推挽结构

二、open-drain结构

开漏结构（OD）：对比推挽结构，开漏结构只有一个三极管或者MOS管。
之所以叫开漏，是因为 MOS 管分为三极：源极、栅极、漏极。漏极开路输出，所以叫开漏；如果是三极管：基极

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