open drain和push pull

本文详细介绍了GPIO中的开漏和推挽两种输出模式。开漏模式利用外部上拉电阻实现高电平输出,适用于线与逻辑和电平转换,而推挽模式内置双晶体管,能直接输出高低电平,速度较快但功耗较大。理解这两种模式对于正确配置GPIO至关重要。
摘要由CSDN通过智能技术生成

  GPIO常常可以设置为输出和输入;在配置GPIO管脚的时候,常会见到两种模式:开漏(open-drain,漏极开路)和推挽(push-pull);

  这里先熟悉下什么是mos管:MOS管,即绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体,常用做开关元件;G:gate 栅极,S:source 源极;D:drain 漏极;

  工作原理:NMOS的特性,Vgs(栅极电压)大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V, 其他电压,看手册)就可以了。

  PMOS的特性,Vgs(栅极电压)小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。

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