XS2123 IEEE 802.3af 兼容的 PD 和 DC/DC 控制器集成功率 MOSFET

XS2123 是一款基于 IEEE 802.3af 标准 PD 和

DC/DC 集成的控制器。

该芯片的 PD 控制器部分为用电设备（PD）提

供符合以太网供电（PoE）系统的检测信号、分级

信号以及带有浪涌电流控制的集成隔离功率

MOSFET。集成隔离功率 MOSFET 耐压 100V，导通

阻抗 0.4Ω，支持最大 880mA 的工作电流，内置欠

压保护和过热保护。带有较宽的迟滞和长周期干扰

脉冲屏蔽，以补偿双绞线电缆的阻性衰减，确保上

电/掉电期间无干扰传输。

该芯片的 DC/DC 控制器部分内置 200V 功率

MOSFET，采用原边控制（PSR）方式，适用于

Flyback 拓扑结构，支持 CCM，DCM，提供精确的

恒压控制模式，采用 PWM+PFM 模式的多段曲线控

制运行模式可以进一步优化系统在不同负载下的转

换效率，同时有效避免了噪声。

主要特点

PD 控制器部分

 兼容 IEEE 802.3af 受电设备的完整电源接口

 集成 100V，0.4 Ω 的隔离功率 MOSFET

 欠压保护

 过热保护

 MOSFET 耐受 880mA 电流

 180mA 最大浪涌电流限流

 电流限制和折返式保护

 正常工作期间电流限制在 760mA 至 1000mA

DC/DC 控制器部分

 支持 CCM&DCM 的原边控制模式

 内置 200V 高压 MOSFET 开关

 最高 12W 输出功率

 较低启动电流（大约 7uA）

 轻载降频，降低能耗

 内置有源周期谐振技术

 输出短路保护及输出过流保护

 输出过压保护及 VCC 过压保护

 软启动

 峰值电流控制模式

 内置 LEB 前沿消隐

典型应用



网络摄像机



IP 电话



无线 AP