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光耦,对标安华高,亿光等
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IC芯片
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ORPC-851(工业级)晶体管光耦,兼容替代LTV-851、PC851
ORPC-851系列器件由一个红外发射二极管组成,该二极管通过光学方式耦合到一个光电晶体管探测器。电流传输比 ( CTR : 最低 50% IF = 5mA, VCE = 5V )高输入输出隔离电压 ( Viso = 5,000Vrms )符合 RoHS、REACH 标准 MSL I 级。高集电极-发射极电压 (VCE≧3500V)安全认证:UL,VDE,CQC,CE。宽工作温度范围 -55~100ºC。带基极引脚高可靠晶体管输出光耦。SMPS中的调节反馈电路。原创 2024-06-05 17:21:41 · 290 阅读 · 0 评论 -
OR- M406A固态继电器SSR光耦,对标替代TLP170A/ASSR-1218等
OR-M4XXA(X) 是固态继电器,发光侧(输入侧)包含 AlGaAs 红外 LED,以光学方式耦合到高压输出检测器电路。检波器由一个光伏二极管阵列和输出侧的 MOSFET 组成。单通道配置相当于 1 个 A 型 EMR。高输入输出隔离电压 ( Viso = 3,750Vrms )采用 400V 和 600V 负载电压系列。400V , 600V 输出耐受电压。安全认证:UL,VDE,CQC,CE。工业温度范围:-40 to 85℃。工业温度范围:-40 to 85℃。常开信号极点信号投射继电器。原创 2024-04-03 13:15:56 · 236 阅读 · 0 评论 -
OR-352,兼容替代TLP187/TLP127/EL452等,达灵顿光耦
电流传输比(IF = 1mA,VCE = 2V时,CTR : 最小1000%)高输入输出隔离电压 ( Viso = 3750Vrms )OR-352系列器件由红外LED光电晶体管探测器组成。符合 RoHS、REACH 标准 MSL I 级。高集电极-发射极电压 (VCEO = 300V)高输入输出隔离电压和高集电极发射极电压。安全认证:UL,VDE,CQC,CE。宽工作温度范围 -55~110ºC。原创 2024-04-03 13:08:12 · 397 阅读 · 0 评论 -
OR-806A固态继电器光耦
OR-806A、OR-825A、OR-840A 和 OR-860A 是固态继电器,发光侧(输入侧)包含 AlGaAs 红外 LED,以光学方式耦合到高压输出检测器电路。检波器由一个光伏二极管阵列和输出侧的 MOSFET 组成。输入和输出之间的高隔离电压 (Viso:5000 V rms)。适用于 2 种 A 型用途以及两个独立的 1Form A 用途。固态继电器 VL=60V输出端击穿电压光耦。工作温度范围宽,-40°C至85°C。安全认证:UL,VDE,CQC,CE。高灵敏度和高速响应、原创 2024-03-21 17:47:08 · 350 阅读 · 0 评论 -
OR-6N137高速隔离运放光耦,对标6N137等
6N137器件均由一个红外发射二极管组成,该二极管以光学方式耦合到一个高增益分体达林顿光电探测器。高输入输出隔离电压 ( Viso = 5000Vrms )VCM=1000V,瞬时共模抑制:10KV/μsec。符合 RoHS、REACH 标准 MSL I 级。高效率的AlGaAs LED和高速光学探测器组成。安全认证:UL,VDE,CQC,CE。改善了传统光电晶体管耦合器的速度。宽工作温度范围 -40~85ºC。AC 和 DC 无刷。原创 2024-03-21 17:41:18 · 555 阅读 · 0 评论 -
ORPC-817(工业级)晶体管光耦,对标替代EL817等大品牌
响应时间 ( tr : TYP 4us 在 VCE = 2V, IC = 2mA, RL = 100)ORPC-817系列器件均由两个红外发射二极管组成,反向并联连接,光学耦合到光电晶体管探测器。电流传输比 ( CTR : 最低 50% IF = 5mA, VCE = 5V )高输入输出隔离电压 ( Viso = 5,000Vrms )符合 RoHS、REACH 标准 MSL I 级。安全认证:UL,VDE,CQC,CE。宽工作温度范围 -55~110ºC。SMPS中的调节反馈电路。原创 2024-03-15 14:16:24 · 455 阅读 · 0 评论 -
OR-152光电耦合器
OR-152 是一款采用 SO6 封装的光电耦合器,由一个 GaAlAs 红外发光二极管 (LED) 组成,该二极管 (LED) 光学耦合到集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片。●传播延迟时间: tpHL = 190 ns (最大值), tpLH = 170 ns (最大值)● 共模瞬态抗扰度: ±20 kV/μs (最小值)●输出峰值电流: ±2.5 A (最大值)● 隔离电压: 3750 Vrms(最小值)●阈值输入电流: 7.5 mA(最大值)●电源电流: 3 mA (最大值)原创 2024-02-23 13:18:48 · 103 阅读 · 0 评论 -
OR-806A固态继电器SSR光耦,可替代AQW212
OR-806A、OR-825A、OR-840A 和 OR-860A 是固态继电器,发光侧(输入侧)包含 AlGaAs 红外 LED,以光学方式耦合到高压输出检测器电路。检波器由一个光伏二极管阵列和输出侧的 MOSFET 组成。输入和输出之间的高隔离电压 (Viso:5000 V rms)。适用于 2 种 A 型用途以及两个独立的 1Form A 用途。固态继电器 VL=60V输出端击穿电压光耦。工作温度范围宽,-40°C至85°C。安全认证:UL,VDE,CQC,CE。60 至 600V 输出耐受电压。原创 2024-02-23 13:16:24 · 366 阅读 · 0 评论 -
OR-341——IGBT驱动光耦,可替代ACPL-W341
OR-341包含一个AlGaAs LED,该LED通过光学耦合到具有功率输出级的集成电路。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200 V/ 100 A的IGBT。3.0 A 最大峰值输出电流 2.5 A 最小峰值输出电流。工业温度范围:–40°C 至 105°C。工作温度范围宽,-40°C至105°C。安全认证:UL,VDE,CQC,CE。原创 2024-01-30 08:55:18 · 705 阅读 · 0 评论 -
OR- M440A——固态继电器 SSR光耦,可替代ASSR-4118/ELM440A
OR-M4XXA(X) 是固态继电器,发光侧(输入侧)包含 AlGaAs 红外 LED,以光学方式耦合到高压输出检测器电路。检波器由一个光伏二极管阵列和输出侧的 MOSFET 组成。单通道配置相当于 1 个 A 型 EMR。高输入输出隔离电压 ( Viso = 3,750Vrms )采用 400V 和 600V 负载电压系列。400V , 600V 输出耐受电压。安全认证:UL,VDE,CQC,CE。工业温度范围:-40 to 85℃。工业温度范围:-40 to 85℃。常开信号极点信号投射继电器。原创 2024-01-30 08:49:45 · 228 阅读 · 0 评论 -
OR-2601,高度隔离光耦,替代HCPL2601、EL2601等
OR-2601高效率的AlGaAs LED和高速光学探测器组成拥有交流和直流隔离改善了传统光电晶体管耦合器的速度共模瞬态抗扰度高速 10Mbit/s特征高速 10Mbit/s逻辑门输出在-40 至 85°C 的温度范围内保证性能。高输入输出隔离电压( Viso = 5000Vrms )安全认证:UL,VDE,CQC,CE符合RoHS、REACH 标准 MSL I 级。指示OR-2601和OR-2611由一个光学耦合到高速集成光电检测器逻辑门的红外发射原创 2024-01-19 09:03:23 · 356 阅读 · 0 评论 -
OR-343,IGBT驱动光耦,替代ACPL-W343,TLP5702等
OR-343包含一个AlGaAs LED,该LED通过光学耦合到具有功率输出级的集成电路。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200 V/ 100 A的IGBT。4.0 A 最大峰值输出电流 3.0 A 最小峰值输出电流。工业温度范围:–40°C 至 105°C。工作温度范围宽,-40°C至105°C。安全认证:UL,VDE,CQC,CE。原创 2024-01-19 09:00:08 · 466 阅读 · 0 评论 -
固态继电器SSR光耦OR-806A ,对标替代AQW212
OR-806A、OR-825A、OR-840A 和 OR-860A 是固态继电器,发光侧(输入侧)包含 AlGaAs 红外 LED,以光学方式耦合到高压输出检测器电路。检波器由一个光伏二极管阵列和输出侧的 MOSFET 组成。输入和输出之间的高隔离电压 (Viso:5000 V rms)。适用于 2 种 A 型用途以及两个独立的 1Form A 用途。固态继电器 VL=60V输出端击穿电压光耦。工作温度范围宽,-40°C至85°C。安全认证:UL,VDE,CQC,CE。60 至 600V 输出耐受电压。原创 2024-01-12 17:12:02 · 488 阅读 · 0 评论 -
奥伦德光电耦合器5G通信领域及其相关领域推荐
由于该器件使用寿命长、工作温度范围宽,所以在过程控制、工业通信、家用电器、医疗设备、通信设备、计算机以及精密仪器等方面有着广泛应用在当前工艺技术持续发展与提升的过程中,其工作速度、工作电流以及集成水平等性能,均会得到较大提升。为了进一步拓展光耦的功能,在普通光电耦合器件的基础上,可以通过LED进行调制信号的加载工作,通过光形式的专属信号、光电二极管的提取以及接收光信号的方式,同时对相关数据进行恢复处理,能够在电-光-电转换过程中进行传输数据,实现通信的功能。所以,它在各种电路中得到了广泛应用。原创 2024-01-12 17:06:34 · 449 阅读 · 0 评论 -
OR-852-达灵顿光耦
高电流传输比 ( CTR : 最小 1000% 当 IF = 1mA, VCE = 2V )OR-852系列器件由红外发射二极管组成,光学耦合到高压光电达林顿探测器。高输入输出隔离电压 ( Viso = 5,000Vrms )符合 RoHS、REACH 标准 MSL I 级。高集电极发射极电压 (VCEO = 350V)高输入输出隔离电压和高集电极发射极电压。安全认证:UL,VDE,CQC,CE。宽工作温度范围 -55~110ºC。原创 2024-01-11 08:51:41 · 402 阅读 · 0 评论 -
ORPC-824,对标可替代ACPL-824/PC824等
响应时间 ( tr : 典型值 4us 在 VCE = 2V, IC = 2mA, RL = 100)Safety approval。电流传输比 ( CTR : 最低 20% 在 IF = ±1mA, VCE = 5V )ORPC-824系列光耦合器由四个砷化镓发射管和两个NPN晶体管组成。高输入输出隔离电压 ( Viso = 5,000Vrms )符合 RoHS、REACH 标准 MSL I 级。安全认证:UL,VDE,CQC,CE。宽工作温度范围 -55~110ºC。SMPS中的调节反馈电路。原创 2024-01-09 17:01:04 · 361 阅读 · 0 评论 -
OR-357,替代HCPL-181
电流传输比(CTR : 最低 50% 在 IF = 5mA, VCE = 5V, Ta=25 °C)OR-357系列器件由两个红外发射二极管组成,反向并联,光学耦合到一个光电晶体管探测器。高输入输出隔离电压 ( Viso = 3750Vrms )符合 RoHS、REACH 标准 MSL I 级。高集电极-发射极电压 (VCEO = 80V)高集电极-发射极电压 (VCEO = 80V)安全认证:UL,VDE,CQC,CE。宽工作温度范围 -55~125ºC。原创 2024-01-09 16:37:32 · 405 阅读 · 0 评论 -
OR-3150:IGBT驱动光耦,可替代HCPL3150
OR-3120/OR-3150 由一个光学耦合到具有功率输出级的集成电路的 LED 组成。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制器件所需的驱动电压。VCM = 1500V 时最小共模抑制 (CMR) 为 35 kV/μs。最大低电平输出电压 (VOL) 1.0V,无需负栅极驱动。工业温度范围:–40°C 至 110°C。宽工作 VCC 范围:15V 至 35V。安全认证:UL,VDE,CQC,CE。带迟滞的欠压锁定保护 (UVLO)原创 2024-01-05 16:40:41 · 592 阅读 · 0 评论 -
OR-3H7(车规级),对标ACPL-217等
电流传输比 : IF = 5mA时最小 50%,VCE = 5V,Ta=25 °C。Safety approval 安全认证:UL,VDE,CQC,CE。OR-3H7系列器件包含两个红外LED和一个光电晶体管探测器。高输入输出隔离电压。(VISO=3,750Vrms)ESD 通过 HBM 8000V/MM 2000V。符合 RoHS、REACH 标准 MSL I 级。集电极和发射极电压 : 80V(最小值)工作温度:-55 °C 至 125 °C。SMPS中的调节反馈电路。原创 2024-01-03 11:41:58 · 408 阅读 · 0 评论 -
OR-6N138,替代安华高6N138,TLP553等
6N138/6N139器件均由一个红外发射二极管组成,该二极管以光学方式耦合到一个高增益分体达林顿光电探测器。OR-6N138高效率的AlGaAs LED和高速光学探测器组成。低输入电流要求 : 0.5mA 高输出电流 : 60mA。高输入输出隔离电压 ( Viso = 5000Vrms )VCM=1000V,瞬时共模抑制:10KV/μsec。符合 RoHS、REACH 标准 MSL I 级。安全认证:UL,VDE,CQC,CE。宽工作温度范围 -40~85ºC。共模瞬态抗扰度高隔离电压。原创 2023-12-29 11:40:12 · 365 阅读 · 0 评论 -
OR-3120——IGBT驱动光耦,替代HCPL-3120,FOD3120,TLP250H等等
OR-3120/OR-3150 由一个光学耦合到具有功率输出级的集成电路的 LED 组成。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制器件所需的驱动电压。具有MOSFET高输入阻抗和GTR低导通压降特性提供隔离反馈。最大低电平输出电压 (VOL) 1.0V,无需负栅极驱动。工业温度范围:–40°C 至 110°C。宽工作 VCC 范围:15V 至 35V。工作温度范围宽,-40°C至110°C。安全认证:UL,VDE,CQC,CE。原创 2023-12-29 08:56:45 · 858 阅读 · 0 评论 -
国产高速光耦OR-2630、OR-2631,对标替代HCPL2630/2631
OR-2630和OR-2631由一个光学耦合到高速集成光电检测器逻辑门的红外发射二极管组成,具有可频闪输出。VCM= 1500V 时最小共模瞬态抗扰度为 15kV/μs。输入和输出之间的高隔离电压 (Viso=3750 Vrms)高输入输出隔离电压 ( Viso = 3750Vrms )符合 RoHS、REACH 标准 MSL I 级。-55°C 至 100°C 的宽工作温度范围。安全认证:UL,VDE,CQC,CE。高速 1Mbit/s。原创 2023-12-25 17:09:59 · 338 阅读 · 0 评论 -
奥伦德光电耦合器工业控制领域推荐
近年来,随着物联网、大数据和云计算在工业领域的普及,全球工业正在发生一轮新变革。为实现智能化、低功耗和高效率产出,工业应用中引入更多的元器件和节点,电气组件数量在持续增加,这也让高压、磁场和噪声持续增加。在这种环境中,电路设计人员使用光耦合器来隔离高压并隔离不需要的噪声信号,从而提高系统的稳健性和可靠性。在此类工业环境中可使用奥伦德可控硅光耦系列,来实现隔离高压并隔离不需要的噪声信号,通过隔离也可以保护敏感电路免受高压扰动干扰与损害,从而保证系统功能正常运行,延长系统使用寿命,保护操作人员的人身安全。原创 2023-12-20 08:54:10 · 41 阅读 · 0 评论 -
国产奥伦德光电耦合器,电源领域推荐
在开关电源中光耦的作用首要是隔绝、供给反应信号和开关作用。开关电源电路中光耦的电源是从高频变压器次级电压供给的,当输出电压低于稳压管电压是给信号光耦接通,加大占空比,使得输出电压升高;反之则关断光耦减小占空比,使得输出电压降落。旦高频变压器次级负载超载或开关电路有毛病,就没有光耦电源供给,光耦就控制着开关电路不能起振,然后保护开关管不至被击穿烧毁。在这方面可以考虑奥伦德工控级的晶体管光耦系列。原创 2023-12-18 17:09:42 · 47 阅读 · 0 评论