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转载 3个模电必记公式

结型场效应管：iD=IDSS（1-uGS/UGS（off））^2 (UGS(off)<uGS<0) 其中IDSS是uGS=0情况下产生预夹断时的ID，称作饱和漏极电流为保证结型场效应管栅-源间的耗尽层加反向电压，N型管uGS≤0V，P型反之N沟道增强型场效应管：iD=IDO（uGS/uGS（th）-1）^2，其中IDO是uGS=2UGS（th）时的iD...

2015-09-18 14:02:00 3182

转载为何场效应管要用UGD与UGS（off）来比较判断夹断情况？

因为场效应管的漏极和源极结构相同，所以用UGS和UGS（off）比较和用UGD 和UGS（off）比较效果相同，在漏极同样会产生夹断转载于:https://www.cnblogs.com/33shui-1NOlol/p/4817528.html...

2015-09-17 20:02:00 2058

转载耗尽层能否导电？

耗尽层能否导电？误解：耗尽层中既不存在多数载流子，也不存在少数载流子，因此它像绝缘体一样是不导电的。正解：耗尽层中因为存在较强的内建电场，则载流子都被驱赶出去了，其中剩余的空间电荷即都是不能移动的电离杂质中心，从而耗尽层本身的确像绝缘体一样，并不导电，并且也呈现出相同的电容效应和绝缘击穿效应等。但是耗尽层又不完全与绝缘体相同，因为当有载流子到达它的边缘时，就将很快地被其中的电场扫过而产生...

2015-09-17 10:39:00 1956

转载电磁学一道计算题

两个点电荷带电2q和q，相距l，第三个点电荷放在何处所受的合力为零？网上下载的答案上说若Q与2q还有q同号，则三者互斥不可能达到平衡，于是Q必须与2q还有q异号我认为符号问题是不影响结果的，实际上我认为这个答案对题目的理解可能有误因为2q和q是同号的，所以如果Q在2q和q的连线之间，受到的两个库伦力一定是沿相反方向的因此可以直接求解转载于:https://ww...

2015-09-15 20:43:00 160

转载电磁学思考题

由于要学习电磁学这门课程，因此也会记录一些电磁学的思考题1.给你两个金属球，装在可以搬动的绝缘支架上，试指出使这两个球带等量异号电荷的方法。你可以用丝绸摩擦过的玻璃棒，但不使它和两球接触。你所使用的方法是否要求大小相等？首先让两个小球接地以使它们不带电，然后将它们靠在一起，这就类似静电感应实验，将玻璃棒接近其中一个球，然后两个球，离玻璃棒近的那端就会带与玻璃棒电荷极性相反的...

2015-09-14 23:01:00 526

转载为何需要设置静态工作点？

首先若只有信号源，那么信号源提供的电压必须保证发射结正偏，也就是需要ui＞uon那么如果ui幅值太小，三极管的发射结就无法正偏，即使幅值能够达到很大，也只有在幅值大于uon的时候三极管有放大作用，所以这里必须有一个直流源，保证三极管能工作在放大状态同时防止失真转载于:https://www.cnblogs.com/33shui-1NOlol/p/4796122.html...

2015-09-09 22:02:00 1225

转载为何基本共射极放大电路存在信号源与放大器不共地的问题？

低频小信号ui的负极是与Vbb的正极相连，要是共地，应该是两者的负极同时接着地，这是我的理解转载于:https://www.cnblogs.com/33shui-1NOlol/p/4796093.html

2015-09-09 21:51:00 1011

转载 mos管类型

凡栅-源电压uGS为零时漏极电流也为零的管子均属于增强型管，凡栅-源电压uGS为零时漏极电流不为零的管子均属于耗尽管转载于:https://www.cnblogs.com/33shui-1NOlol/p/4791540.html...

2015-09-08 14:24:00 233

转载共射电路三极管工作区判断

如图所示，VBB提供发射结正偏电压，VCC提供集电结反偏电压VCC可以看做是 UCE串联电阻Rb用来限制电流防止烧坏管子我的理解是发射结部分相当于二极管，二极管在导通后，压降可以看为0，如果直接串联电源，可能会烧坏电源，所以需要电阻来限制电流Rc是什么情况呢？我们知道流过Rc的电流就是Ic，并且RC的电压加上uce=vcc不变，所以Rc的作用就是将集电极电流的...

2015-09-08 13:44:00 855

转载为何掺杂浓度高的空间电荷区反而窄？

一个解释是：掺杂高的P区，较窄的区域就贡献足够的空穴，跟N区贡献出的电子相抵消另一个解释是：P型半导体中所谓的空穴，其实是电中性的；N型半导体中的自由电子是从施主杂质那里跑出来的。P型和N型紧密结合在一起形成PN结时，每有一个自由电子进入P型区域和空穴结合，就多了一个真正的负离子（那个结合了自由电子的空穴）和一个真正的正离子（那个丢掉了电子的施主杂质）。那么，这两个正负离子都存在...

2015-09-05 20:06:00 5101

转载一些问题

在制造半导体器件时,为什么先将导电性能介于导体和绝缘体之间的硅或锗制成本征半导体,使之导电性极差,然后再用扩散工艺在本征半导体中掺入杂质形成N型半导体或P型半导体改善其导电？导电性能介于导体和绝缘体之间的硅或锗导电性不可控，而本征半导体的导电性可控半导体器件温度稳定性差，是多数载流子影响大，还是少数载流子影响大？少数载流子温度变化时，少数载流子相对变化大，所以影响大...

2015-09-05 18:51:00 730

转载空间电荷区的宽度

电场力作用下载流子的运动即漂移运动pn结中内电场会抑制载流子扩散运动，而加强漂移运动内电场方向是由n区指向p区，因此p区空穴以及n区电子均会受到与扩散运动方向相反的电场力，由此扩散运动被抑制，而p区少子电子和n区少子空穴会因为电场力而运动，即漂移运动，空穴会由n区向p区移动，电子由p区向n区移动漂移运动方向正好与扩散运动相反，从n区漂移到p区的空穴补充了p区失去的空穴，从p区漂移到n区的...

2015-09-04 22:26:00 2852

转载空间电荷区形成原理

大二学的模电，现在又拿起来，感叹自己学的实在太差，所以结合一些资料开始总结笔记pn结和空间电荷区还是有区别的。这里说点题外话浓度差导致扩散运动，而空间电荷区内电场会导致漂移运动当参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同时，达到动态平衡，此时形成pn结也就是说空间电荷区的形成不需要动态平衡的条件以上为个人理解。杂质半导体中的多子一般都是由杂质原子提供，少子是本征激发...

2015-09-04 22:23:00 4205

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