为何场效应管要用UGD与UGS（off）来比较判断夹断情况？

最新推荐文章于 2024-07-01 16:37:31 发布
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因为场效应管的漏极和源极结构相同，所以用UGS和UGS（off）比较和 用UGD 和UGS（off）比较效果相同，在漏极同样会产生夹断

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weixin_41644097的博客
07-31 428
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MOS管夹断与预夹断与Ugs(off)及其关系
geniusChinaHN的博客
07-01 615
就是MOS上刚开始出现最大值耗尽层的情况。因为G极与D极的电势差最大，所以在D极最先出现最宽的耗尽层。其实Ugs(off) < 0,因为PN节只有反向才可能截至。而当MOS管上每一点都处于最大值耗尽层的时候，这个状态叫做。夹断.这个时候Usg= - Ugs(off)，表现为这一点无法导电。
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场效应管按结构不同可以分为：结型场效应管和绝缘型场效应管； 按工作状态不同可以分为：增强型（不存在原始导电沟道）和耗尽型（存在原始导电沟道）； 根据导电沟道不同可以分为：N沟道（NPN）和P沟道（PNP）；
场效应管自学笔记
weixin_39162701的博客
06-21 4643
场效应管 这种器件也是有PN结构成的，它几乎只利用半导体中的一种载流子来导电，故又称单极性晶体管。特点是输入电阻高，有10^7~10^15欧，所以外部的电压几乎全部会加在管子内部，而 不用考虑外部电源内阻。还有其它的体积小，重量轻，寿命长等瞎掰的没用的优点。 场效应管分为结型场效应管JFET和绝缘栅场效应管IGFET。这两种管子的区别嘛，就看看大牛们的解释吧，转载http://blog.sin
场效应管（场效晶体管），绝缘栅型、结型。内部载流子的运动是怎么样的，控制过程、主要参数、特性曲线
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