STM32硬件基础--QaudSPI总线读写片外FLASH

【海东青电子原创文章，转载自：STM32硬件基础--QaudSPI总线读写片外FLASH（一） - 简书】

（文中代码下载地址：https://github.com/haidongqing/qspi-readid）

STM32F746G-DISCO开发板上，通过QaudSPI接口连接了一片MICRON公司的NOR FLASH，型号为 N25Q128A13EF840E 。这里涉及了2个方面的技术问题：

1）Qaud SPI 总线接口；

2）ST MCU如何通过Qaud SPI 接口读写NOR FLASH。

先来看看什么是Qaud SPI，它是SPI的“升级版”，也有简写成QSPI的，称为四线SPI，可以理解为在传统的SPI总线上，扩充了4条“双向”数据线。这样，Qaud SPI就有6根线：片选信号CS、时钟CLK、数据线D0-D3（SPI是4根线：CS、CLK、MISO、MOSI）。功能的增强一定带来新的复杂性，QSPI也不例外 ---- 相比较SPI而言，QSPI不再是只按照CLK的时钟时序读或写数据那么简单了，而是需要先发送“命令”才能读写数据。所以，QSPI总线的驱动、编程要复杂一些。

为了简化QSPI的编程、使用，STM32系列MCU在内部增加了一个QSPI控制器，通过一些相关的寄存器控制对QSPI的操作。总体而言，QSPI有3种工作模式：单线（Single，或Extended）、双线（Daul）和四线（Qaud），其中四线SPI最常用（显然，这种模式下数据吞吐率最大、效率最高），这也是我们下面要讨论的重点。

图一

上图是STM32F746用户手册中QaudSPI功能框图（单BANK的情形，746也支持双BANK模式，此处不作讨论），可见MCU与FLASH之间就是6根信号线。

既然我们关心的是如果读写FLASH，就得先看看FLASH这个外部器件对读写数据有哪些要求（时序，读写命令等）。

首先，FLASH在进入“常规工作”状态之前，需要先进行“配置”，即参数初始化，比如QSPI总线模式、读数据延迟周期等。N25Q内部有2种类型的配置寄存器：Nonvolatile Configuration Register 和 Volatile Configuration Register，前者是非易失的，后者是易失的。读配置寄存器有相应的命令：

图二

图三

这是很简单的读取命令，MCU通过QSPI总线发送一个命令字 B5 ，FLASH接收到之后，在数据线上送出配置寄存器中的内容。写配置寄存器如下：

图四

发送2个字节：命令字 B1 + 一字节配置内容，总共16 bit。读写配置寄存器的时序图比较简单，但这个是基础，读懂了图二、图四的时序图，就能读懂下面稍复杂一些的时序图。

第二，读出数据的具体操作。最简单的，是先读出FLASH的ID。任何一个厂家的FLASH器件，内部都有一个device id，以及一些扩展信息，说明这个FLASH的生产商、芯片容量等基础参数。

图五

测试时，使用了READ ID（9E） 命令，它只能用于Extended模式。注意上图的 Notes 2 ：

图六

表明此命令不需要地址，读延迟周期（Dummy clock cycles）为0，即不需要。请注意 Dummy clock cycles 这个参数，这是个非常重要的参数，在读取FLAHS数据时，从发出读命令，到FLASH将数据送上数据线，是需要一定时间的，这个时间就是 Dummy clock cycles，后面讲到对FLASH读数据时还会重点提到。正确读出ID的结果会是这样的：

图七

读ID ，得到的数据（前3个）是：20h，BAh，18h。

（注：JEDEC，Joint Electron Device Engineering Council，JEDEC固态技术协会，EIA的分支，FLASH厂家的ID应该是由这个标准化组织分配的）

好了，我们就只先做最简单的一步：如何读出FLAHS的ID。MCU这一端的工作，主要是使用CubeMX正确配置QaudSPI，并编写代码访问FLASH。先看看STM32F746G-DISCO 开发板的原理图、确定QSPI用到的pin：

图八

图九

图十

运行STM32Cube，选择STM32F746NG芯片，配置RCC、SYS和时钟：

图十一

图十二

图十三

最后是主角：QaudSPI：

图十四

上图中，

1、选择QSPI的四线模式。

2、FLASH的时钟频率，选择对HCLK 2分频，就是 216/(1+1) = 108 MHz，正好是N25Q芯片的最高可用频率（见；N25Q数据手册）。---- 之前这个参数设置成了2，是错误的，感谢网友 “海鸦” 的提醒！！

3、QSPI针对读写数据设计了FIFO缓冲区，这是缓冲区长度。

4、选择延迟半个时钟采样周期、利于适应FLASH的可能延迟，见图十五。

5、N25Q容量是128Mbit，即16MByte，那么按字节寻址的话有16M个地址，16M = 2的24次方，所以填写24。

6、连续2个命令之间需要的延迟间隔时间（时钟周期）。QSPI每次向FLASH发送命令，片选信号CS都有一个拉低、再拉高的过程，2个命令之间CS保持高电平（无效状态），这个高电平保持多久，称为 Chip Select High Time（见图十六）。N25Q要求这个时间最小是50ns（见图十七），FLASH时钟是108MHz，50ns/(1/108MHz) = 5.4，即最小需要5.4个时钟周期，所以这里选择了6。

7、Clock Mode，空闲时CLK的电平状态，似无大碍，这里选了low（模式0；如果high，是模式3）。

图十五

图十六

图十七

QaudSPI的配置还没完事，还需要检查GPIO的复用功能是否配置正确（这是有血的教训的，见这里）。CubeMX默认的QSPI管脚配置是：

图十八

需要按下图重新分配pin：

图十九

生成KEIL代码。main.c中，函数 MX_QUADSPI_Init() 是CubeMX生成的QSPI的初始化函数。

先定义一个常数数组，包含了N25Q的ID信息：

const uint8_t bN25Q_ID[BUFFERSIZE] = {0x20, 0xBA, 0x18};               //Manufacturer ID, Memory Type, Memory Capacity

然后读FLASH：

图二十

sCommand 是 QSPI_CommandTypeDef 类型的结构体，负责配置命令模式、命令字、数据格式、数据长度等关键信息，然后调用 HAL_QSPI_Command() 发送命令。在  HAL_QSPI_Command() 内部又调用了 QSPI_Config()，通过写QSPI相关的一些寄存器最终实现发送命令的操作。在调用 QSPI_Config() 时，使用了一个重要的参数：QSPI_FUNCTIONAL_MODE_INDIRECT_WRITE，它约定了QSPI在此次与FLASH的会话中，使用的是QSPI的“间接操作模式”（QSPI有三种操作模式，详情将在下一讲中介绍，预留链接）。

读出ID结果如下：

图二十一

读出的数值确实是 20h，BAh，18h；开发板背面的LED慢闪，表明读取ID正确（如果出错，LED将快闪）。

本例的代码下载地址：https://github.com/haidongqing/qspi-readid。

下一节将介绍QSPI的三种操作模式、并实现读FLASH数据：《STM32硬件基础--QaudSPI总线读写片外FLASH（二）》。

补充：关于QaudSPI的时钟频率

图二十二

分频系数数值+1，是真正的分频倍数。为了2分频，应该将 PRESCALER 参数设置为1；如果设置为2，就是3分频了，QaudSPI时钟频率更低了，程序仍能正常执行，只不过读写速率降低了、效率低了。经测试，如果将 PRESCALER 参数设置为0，QaudSPI时钟频率==HCLK 了，超出了最大频率范围，读出的ID是错误的。

TM32F746的文档在介绍QaudSPI时，上来就说了三种工作模式：

图一

1、“间接”模式

2、状态轮询模式

3、内存映射模式

这是什么意思呢？本人当时读文档读到此处时，是一脸的懵逼。有了前一讲 《STM32硬件基础--QaudSPI总线读写片外FLASH（一）》的基础，再来理解就容易多了。QSPI的这三种工作模式，是相对于ST MCU而言的，是为了简化MCU对QSPI器件（多为FLASH）而设立的。MCU针对FLASH主要就是做了两件事：一个是读写数据等收发命令，还有一个是：要经常查询FLASH的状态。比如写入数据，在写FLASH之前，必须先进行擦除，擦除需要时间，后续的写入命令必须等待擦除完成。怎么能知道是否擦除完成了呢？就得不断查询FLASH的状态。所以，常用的读写等命令就对应了上面的模式一：间接模式（ST MCU又把它具体分为间接写、间接读两种模式），而查询FLASH状态就对应了模式二：状态轮询。

至于模式三：内存映射模式，是为了简化读FLASH的操作。实际应用中，片外FLASH大多用于图片等静态数据存储，其写入是在烧写MCU时通过ST-LINK之类软件工具完成的。MCU运行时，基本上都是只从FLASH中读出数据。为了简化这个操作，可以使用模式三，将片外FLASH的地址映射到片内的地址空间（BANK1的起始地址为0x9000 0000），从而可以像访问片内地址一样来访问外部FLASH。不难理解，模式三只能用于读、不能写。（而且，映射的最大地址空间不能超过256MB。）

下面先来看看读数据的实现（代码下载地址：https://github.com/haidongqing/qspi-readflash）。我们采用四线快读方式：

图二

注意注解5：

图三

N25Q要求在这种读数据模式下，需要10个 Dummy clock cycles。时序图：

图四

发出read指令后，需要等待10个 Dummy cycles。在读操作之前，需要先对FLASH设置这个参数。在《STM32硬件基础--QaudSPI总线读写片外FLASH（一）》中提到，N25Q有2个配置寄存器：Nonvolatile Configuration Register 和 Volatile Configuration Register，前者是非易失的，后者是易失的，这里派上了用场，我们的方式是修改易失的 Volatile Configuration Register（代码中，MCU每次上电都要做这个操作）：先读出  Volatile Configuration Register 的值，设置 Dummy cycles，之后再写回 Volatile Configuration Register。

图五

因为涉及了FLASH的写操作，先要使能写操作、然后才能写。代码中专门有一个函数 QSPI_WriteEnable() 来使能“写”：

图六

FLASH的写使能状态保存在FLASH的状态寄存器 status register 中：

图七

写状态寄存器、对FLASH编程（写）、擦除时，需要使能写。发出使能写指令后，需要查询该指令是否顺利完成了，即前面提到的“模式二”。这里使用了一个函数：HAL_QSPI_AutoPolling()。查询时，我们只关心位于 bit1 的 Write enable latch 标志位是否被置1了，所以 sConfig 结构体（轮询模式参数配置）中，屏蔽字（.Mask）设为0x02（bit1有效），匹配目标（.Match）设为0x02。

完整的修改Status Resgister 的代码在函数 QSPI_DummyCyclesCfg() 中实现，然后读取FLASH数据：

图八

正确读出数据后，开发板上的LED慢闪；如出错，LED长亮。FLASH出厂时，数据全为0xFF。本实验中，先用预先提供的 set_01234.hex 文件烧写开发板、并复位运行，将在FLASH地址起始处写入 “0123456789” 十个字符，然后再运行上面例程，即可看到正确的读出结果。

再来看看模式三，内存映射模式下，如何读取FLASH数据，代码详见：https://github.com/haidongqing/qspi-readflash-mapped。

图九

核心是函数：HAL_QSPI_MemoryMapped()，在其内部使用参数 QSPI_FUNCTIONAL_MODE_MEMORY_MAPPED 调用了  QSPI_Config()，从而实现对模式三的设定：

/* Call the configuration function */

      QSPI_Config(hqspi, cmd, QSPI_FUNCTIONAL_MODE_MEMORY_MAPPED);

然后按内部地址方式读出数据：

图十

MCU对片外FLASH的操作以读为主，到此，有关QSPI使用的关键点已经讲完了。有兴趣的同学，请继续下一讲：《QSPI如何写FLASH数据》。

作者：海东青电子
链接：https://www.jianshu.com/p/77f7bd0817e9
来源：简书
著作权归作者所有。商业转载请联系作者获得授权，非商业转载请注明出处。

【海东青电子原创文章，转载请注明出处：STM32硬件基础--QaudSPI总线读写片外FLASH（三） - 简书】

N25Q是NOR FLASH，每次写入数据之前，需要先进行擦除。而且，在发送写数据指令之前，需要先“使能写”（见上一篇：STM32硬件基础--QaudSPI总线读写片外FLASH（二））。执行写之后，还需要查询FLASH的状态寄存器，看看是否写入完毕。

完整的示例代码的下载地址：https://github.com/haidongqing/qspi-writeflash。

第一步是擦除：

图一

擦除之前，也需要先使能写。发出擦除指令后，要查询此指令是否完成，函数 QSPI_AutoPollingMemReady() 查询FLASH是否进入就绪状态：

图二

.Match、.Mask 的值为什么是0x00和0x01呢？来看看N25Q的数据手册中关于状态寄存器的说明：

图三

需要查询寄存器的bit0是否为0，所以屏蔽字是0x01，目标值是0x00。

第二步：写入。

图四

待写入的数据（字节类型）保存在 aTxBuffer 中，长度为 BUFFERSIZE，赋值给了 .NbDate 。执行写入后，调用函数 QSPI_AutoPollingMemReady() 查询FLASH是否写入完毕。

以上只是最简单的写FLASH示例，实际使用时，最重要的是要处理跨扇区写的问题，即 当BUFFERSIZE大于FLASH的扇区size时，写第二个扇区时，要重新设置 sCommand.Address（递增；之后的其他扇区照此类推），可参考ST官方的例程 -- “QSPI_ReadWrite_IT” ：

图五

（完）

作者：海东青电子
链接：https://www.jianshu.com/p/3d8b6f2c95a3
来源：简书
著作权归作者所有。商业转载请联系作者获得授权，非商业转载请注明出处。