从LDO芯片、封装选型到半导体热阻和功率计算

白金疤痕

已于 2024-08-07 18:15:12 修改

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分类专栏：电路设计原理文章标签：嵌入式硬件单片机硬件工程

于 2024-07-03 02:38:04 首次发布

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一、概述：从同一型号LDO芯片选型何如选择具体封装到“热阻与功率”

若不关心推到过程，可跳至第三节流程，快速选型

无数名硬件工程师在前辈的指导下，在人云亦云的大环境下，在“经验的”熏陶下，一片神级LDO芯片，LM1117-3.3V可谓是“叱咤江湖”多年，但比如TI公司的LM1117芯片下，就有SOT封装、TO-220封装、TO-263封装和WSON封装等等，我们如何选择具体封装，很多人（小白）没有搞清楚如何选择。

所以经常出现下面的对话，刚刚接触工作，或者哪怕是工作了多年的“老油条”也是对一些概念模糊不清。

问：X工，每次选择这些封装时候我就会犯难，为什么选这个？
答：这个封装散热好，这个体积大。
问：可是X工，数据手册上写着它们都能达到800mA电流啊，那有什么区别呢？
答：选大的，肯定供电能力就强啊，散热就好啊，功率就高啊。
问：哪到底多大是个大呢？有没有依据呢？
答：管那么多干嘛？我和你说和热阻有关，功率有关，选这个大的就行，就可以用，之前设计都没问题你按照之前的设计来就好了！

于是，你按照“前辈们”久经沙场的经验，将电路板设计出来，但很不幸的是，你的后端电路上有个不起眼的器件功耗却出奇的大，于是整体电路工作电流也大，电源芯片发热严重，运行个10分钟就死机掉电了，有的板子冒烟了，你还要去修，来回调试数把个月最终决定，还是换个“更大功率和效率”的开关DCDC芯片来解决这个问题吧，又成了一条“LDO不靠谱，以后我要用开关电源的经验”。

求人不如求己，只有自己刨根问底得搞清楚原理才有底气，在越来越拥挤的、越来越复杂的电路板中，空间显得尤为重要，如何选择一个能够满足条件的，发热满足要求的、可靠运行的LDO芯片，就需要了解一下器件的热阻的概念。

例如：

二、技术名词解释

1 结温度 TJ

结温度，说白了就是芯片内部核心的温度，这个温度不能超过一定的值，否则就烧坏啦！芯片手册里有个绝对最大额定值里，会说明允许的最大结温度，一般商用的会比工业的低些，说人话就是不耐高温些，不禁折腾些。
在这里插入图片描述

2 环境温度 TA temperature ambient

顾名思义，环境温度，中文手册的弊端在这里体现的淋漓尽致，TA是什么，英文手册里后边带着ambient tempeature，我们自然联想到TA就是环境温度，中文手册里直接放上一个TA，我们是小白的话直接蒙圈，这TA是啥，出自哪里？这层窗户纸捅破了自然也就知道了，所以还是啃英文手册能避免很多歧义的问题。
说跑偏了，这里的环境温度要强调下，不是简单得指室温、或者“今天天气预报报得多少度”，二十芯片所处环境得具体温度。
比方说在一个煤炭矿井下，矿井里温度可能是30℃，但是电路板安装在一个厚厚得密闭的铁壳里，铁壳里有大功率器件，这些大功率器件呼哧呼哧的散发着热量，让这个密闭空间里温度达到了40度甚至更高，那么此时这个40度才是环境温度。同理这个电路板可能放在汽车的引擎盖下面，那么就不得不考虑汽车在阳光下暴晒一下午后，引擎盖的温度可能达到60度甚至更高，那么这时60度才是器件的环境温度。
在这里插入图片描述

3 耗散功率 Pd power dissipation

耗散功率就是LDO损耗的功率，这部分功率以热量的形式将能量耗散掉了，所以芯片也就跟着升温了。耗散功率越大，发热也就越高，但芯片的散热能力又是一定的。
当发热量超过芯片的散热能力时，结温度就会超过最大结温，芯片也就烧坏了
但我们如何避免这种事发生呢？芯片的散热能力应该引用一个什么样的参数来描述呢，引入热阻概念。

4 热阻 Rθ，Rθ=（T1-T2）/P

就像是不同的导体电阻，对电流的阻碍作用一样。
不同材质的导热能力，对热量扩散阻碍能力不一样，所以引入热阻概念，用来描述不同材质对热量扩散的阻碍能力。
Rθ=(T1-T2)/P
R=(U1-U2)/I
是不是很像啊。
所以热阻越大，散热能力越差。

我在第一眼看数据手册，看到五花八门的RθJA啊，RθJC啊，RθJB啊，看的眼花缭乱，实际上看一眼英文就全明白了，如下图。
在这里插入图片描述
解释下缩写：

JA：junction to ambient 结到环境
JC：junction to case 结到外壳
CA：case to ambient 外壳到环境
所以RθJA=RθJC+RθCA
类似的还有JT：junction to top 结到封装顶部
类似的还有JB：junction to bottom 结到封装底部
说重点：热量传输路径不是一条，可以沿着引脚传输到电路板，可以沿着封装表面到空气，可以沿着底部焊盘到PCB的覆铜，这些通道可以看作时“并联”的，所以要根据芯片实际，来选择正确的热阻来计算。

5 POWER（耗散功率）

一般来说，上面计算热阻时候的功率，指的是发热功率，而不是整体电路功率。

例如，以LDO芯片LM1117-3.3为例。输入电压5V，输出电压3.3V，负载电流500mA，LDO芯片的静态电流10mA
PD=(VIN-VOUT)IL+VinIG
下面是推导过程：
LDO的模型

简化一下：
TI中给出的公式

6 新的热指标ψJT 与ψJB（junction to board）（结到封装顶、结到电路板）

ψ（psi）		θ（theta）

首先不着急介绍ψ是什么，先说Rθ存在的问题

“结至环境的热阻” RθJA 是常见的指标，也是最被常误用的指标。
RθJD是JEDEC在EIA/JESD51-X中规定的标准化环境、标准化测试流程、标准化测试方法中测得参数，它只体现了 芯片的散热能力，用来和其它厂家的LDO芯片进行对比来使用。
换人话来说就是，在实验室里测得的数据，我们实际上用的时候，给芯片上贴上一个大散热片，就会大大降低它的RθJA，我们电路板覆铜形状，焊盘大小、铜厚等多方面影响RθJA，所以不能简单直接拿来使用。

所以实际应用时，当器件封装表面没有散热器时，结到封装顶部的热阻，盲目使用θT，与实际电路可能存在区别，就可能导致很大的误差，于是ψJT概念被提出。
这里偷个懒，下面是TI公司《半导体和IC封装热指标》给出的概念，大概意思就是说，Rθ是实验室中测得的，为了得到较为准确的结温与封装表面温度、功率关系，引入了ψ的概念。我给它起个名字就叫“伪热阻”，原文里叫它“特征参数”。
原文: TI英文版

在这里插入图片描述

这东西怎么用呢？

我们手头有红外摄像头等测量芯片封装表面温度的工具时，测得了封装表面的温度Tc，再通过公式Tj=Tc+(ψTJ x power)，即可估算出芯片内部的结温。电路已经做出来了，验证芯片是否会稳定工作时用得到的参数。

7.散热片热阻

散热片的热阻计算公式为RθCS（case to heat-sink）=T/(k x A)

三、流程：数据手册中我们应关注哪些参数

其实还可以更细化，例如增加散热片等，以后再补充吧
在这里插入图片描述

四、技术细节

提示：把热阻想想成电阻很好理解了

热阻和电阻类似，热量可以想象成电流、对热量的阻碍想象成电阻，耗散功率想象成电压；
热阻和电阻不一样，没有看得见的通道，但是基本可以抽象出来：
a. 热量从芯片外壳流出、再从外壳到空气；
b. 热量从引脚流出到电路板，电路板再到空气；
c. 热量从底部焊盘留出到PCB覆铜，PCB覆铜再到空气；
d. 热量从芯片外壳到散热片，散热片再到空气；
上述这些通道既有串联，也有并联，芯片手册一般会写出各个通道的热阻。
散热片的热阻计算公式为RθCS（case to heat-sink）=T/(k x A)

例如TO-220封装，结至底部热阻仅有1.5℃/W，实际大部分结的大部分热量可以从封装底部散掉，只需再TO-220背面加良好散热，计算出散热器热阻后，即算出TO-220的散热效率。带入公式中ⅩTO-220封装获得较大的电流输出。

这里也可以想想成，TO-220的多条热路通道，并联着这条热阻极小的通道，TO-220的RθJA（结至环境温度）热阻主要取决于此条通道
即RθJA=RθJC+RθCS，只要RθCS足够小，表格中的RθJA就没有参考意义了。