一、通过LDO的能耗和热阻计算出LDO的最大结温
Ⅰ、当LDO稳压器向负载提供电流时,会产生功耗(
),计算方式如下:
该方程表明,LDO稳压器的大部分功耗发生在输出MOS晶体管中。
:功耗(W)
:输入电压(V)
:输出电压(V)
:输出电流(A)
:静态电流(A)通常在mA-uA级。
Ⅱ、芯片工作结温(
) 计算方式如下:
:Junction-to-ambient 结与环境热的热阻(℃/W)
:Junction-to-case 结到外壳(芯片到模制封装)热阻(℃/W)
:Case-to-ambient 外壳与环境之间的热阻(℃/W)
:环境温度(℃)
:最大工作结温(℃)
:在指定的散热条件和环境温度下,可以持续耗散的最大功率(W)
二、AMS1117-3.3(SOT-223封装)为例
1、工作条件:
=5V、
=3.3V、
=0.2A、
=25℃至85℃。
2、芯片要求:
、
<=125℃。
3、芯片参数:
=90℃/W、
=1.2W。
4、工作功耗(W):
5、环境温度25℃下芯片最大结温(℃):
6、环境温度85℃下芯片最大结温(℃):
7、结论:
=5V、
=3.3V、
=0.2A、
=25℃至85℃,AMS1117-3.3(SOT-223封装)芯片可稳定工作。
环境温度25℃下=1.2W左右,即AMS1117-3.3(SOT-223封装)12V降压至3.3V最大输出电流应小于138mA;9V降压至3.3V最大输出电流应小于210mA;5V降压至3.3V最大输出电流应小于705mA。
环境温度85℃下=0.45W左右,即AMS1117-3.3(SOT-223封装)12V降压至3.3V最大输出电流应小于52mA;9V降压至3.3V最大输出电流应小于79mA;5V降压至3.3V最大输出电流应小于265mA。
由上可知封装、输入与输出电压差、环境温度、最大结温会影响限制LDO输出电流极限。手册标称的输出电流1A是芯片工作中属非常理想情况下,毕竟产品工作环境温度会随季节性变化,也可利用LDO结温高这一特性给产品在低温环境下提供热量,芯片长时间高温工作会影响其寿命。根据芯片工作环境应控制在:12V降压至3.3V输出电流控制范围50mA-140mA;9V降压至3.3V输出电流控制范围80mA-210mA;5V降压至3.3V输出电流控制范围260mA-700mA。
以上计算均未考虑PCB板材及铺铜面积、通孔等因素(通常可被看作散热器),LDO工作极限可提高。LDO芯片最大工作结温超过芯片手册数值时应使用DCDC电源,高效率DCDC可有效降低器件温升。
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