霍尔效应: 磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时,产生横向电位差的物理现象。
霍尔效应1879年由Johns Hopkins 大学的研究生Edwin Hall发现。
1879年美国物理学家E.H.霍尔观察到,在匀强磁场中放置一个矩形截面的载流导体,当磁场方向与电流方向垂直时,导体在与磁场,电流方向都垂直的方向上出现了电势差,后来就把这个现象称为霍尔效应,所产生的电势差称为霍尔电势差或霍尔电压。
目前在翻盖或者滑盖手机中使用最多的HALL Sensor,它是一种电子组件,其外形和三极管类似,由HALL component,放大器,施密特电路以及集电极开路输出三极管组成,当磁场作用于HALL组件时产生一个微小的HALL电压,经放大器放大和施密特电路后使三极管导通输出低电平,而没有磁场作用的时候(即翻盖打开后)三极管截止输出为高电平。
HALL Sensor开关受到手机CPU输出的HALL高电平信号控制,电源则来自于电池。当翻盖合上时装在翻盖中的磁铁的磁场作用于HALL传感器(一般翻盖/折叠手机都把磁铁安装在翻盖上),HALL电路中的三极管导通,从传感器的引脚输出低电平,如果是在通话后则作为“挂机”信号送给CPU挂机。(这也就是为什么合上翻盖后手机就挂断的道理)。