SEPIC拓扑元件参数计算

对于所有拓扑，占空比皆可表示为：

和分别为开关导通和关断时电感两端电压。

下面分别列出L1和L2的和。

L1:

L2:

 为耦合电容两端电压，将上式分别代入得：

对于L1:

对于L2:

令两个占空比方程相等：

化简得到.

故耦合电容两端电压等于输入电压。

同时占空比也可表示为：

MOS管和二极管的额定电压为.

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下面计算电流：

开关关断时，输出电流经过二极管D，并且来源于L1和L2，所以有：

稳态时，耦合电容C的充放电流相等，所以有：

联立上面两式解出和：

MOS管导通时，其电流为和之和：

MOS管关断时，流过二极管D的电流也为和之和，故：

（、、、均为斜坡电流的中心值）

耦合电容C的电流有效值可以用下式计算：

将代入得：

关于耦合电容的容量计算，我查阅了很多资料竟然无果，个人认为，其容量大小至少要保证开关关断期间不会饱和，故用下式计算。

为开关频率。

MOS管的电流有效值用下式计算：

将代入得：

二极管的电流有效值用下式计算：

（r为电流纹波率）

二极管的平均电流则为。

输出电容的电流有效值可用下式计算：

输人电容的电流有效值可用下式计算：

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电感量的计算方法和BUCK_BOOST拓扑一样，在连续导通模式下两个电感的电压波形是相同的，并且。计算方法如下图，（r取0.4）更详细可参考文章https://blog.csdn.net/aurotua/article/details/132700417?spm=1001.2014.3001.5502