sepic电路MATLAB,Sepic电路建模、仿真设计（最终版）

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1、utinLeakoutVIIVII()()=A如果L和L绕在同一个磁芯上，因为互感作用上式中的电感值就可用L代替。电感值可这样计算∶(min)''maxinLVLLLmHmHIf储能电容C的确定储能电容C的选择主要看RMS电流(有效电流)，可由下式得出∶(min)outCoutinVIIVSEPIC电容必须能够承受跟输出功率有关的有效电流。这种特性使SEPIC特别适用于流过电容的有效电流(跟电容技术有关)相对较小的小功率应用。SEPIC电容的电压额定值必须大于最大输入电压。C的纹波电压的峰峰值可以这样计算∶maxoutCIVCf()取CV=V得C=uF。满足需要的有效电流的电容在C上一般不会产生太大的纹波电压，因此峰值电压通常接近输入电压。滤波电容C的确定在SEPIC中，当电源开关Q打开时，电感充电，输出电流由输出电容提供。因此输出电容会出现很大的纹波电流。选定的输出电

2、导通电阻RDS(ON)、栅漏电荷QGD和最大漏源电压VDS(max)是选择MOSFET的关键参数。逻辑电平或子逻辑电平阈值MOSFET应该根据栅极电压使用。峰值开关电压等于Vin＋Vout。峰值开关电流由下式计算∶()()()QeakLeakLeakIIIA()流过开关的RMS电流由下式给出∶(min)()(min)()OUTINOUTQRMSOUTINVVVIIAV()MOSFET的散耗功率PQ大概是∶()()max(min)()()GDQQRMSDSONINOUTQeakGATEQfPIRVVII()PQ，MOSFET总的功耗包括导通损耗(上式第一项)和开关损耗(上式第二项)。IGATE为栅极驱动电流。RDS(ON)值应该选最大工作结温时的值，一般在MOSFET资料手册中给出。要确保导通损耗加上开关损耗不会超过封装的额定值或者超过散热设备的极限。编程计算所需参数在下面编程计算过程中，所需

3、上，其稳定值为V=V，电压有一定的下降。由此可解得负载调整率为%。电路的扰动分析)输入电压V的突变分析突变方案一：t=~s期间，V=V；t=~s期间，V=V。即t=s时V发生突变。输出电压波形如下所示，最终V能够收敛。输出电压V的波形图t(s)V(V)突变方案二：t=~s期间，V=V；t=s时刻，V采用随机输入，V=+*rand()；t=时刻，V再进行一次突变，V=+*