宁静以致墨的专栏

存储器又称闪存，主要有两种：NorFlash和NandFlash。在实际开发中，设计者可以根据产品需求来进行闪存的合理选择。下面我们从多个角度来对比介绍一下。1、接口对比NorFlash带有通用的SRAM接口，可以轻松地挂接在CPU的地址、数据总线上，对CPU的接口要求低。NandFlash器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。由于时序较为复杂，所以一般CPU最好集成NAND控制器。另外由于NandFlash没有挂接在...

除了正确进行接地设计、安装,还要正确进行各种不同信号的接地处理。控制系统中，大致有以下几种地线：（1）数字地：也叫逻辑地，是各种开关量（数字量）信号的零电位。（2）模拟地：是各种模拟量信号的零电位。（3）信号地：通常为传感器的地。（4）交流地：交流供电电源的地线，这种地通常是产生噪声的地。（5）直流地：直流供电电源的地。（6）屏蔽地：也叫机壳地，为防止静电感应和磁场感应而设。以上这些地线处理是系统设计、安装、调试中的一个重要问题。下面就接地问题提出一些看法：（1）控制系统宜采用一点接地。一般情况下,高频电路

本文从对比两颗分立MCU与单芯片双核MCU开始(以LPC4350为例)，展开介绍了非对称双核MCU的基础知识与重要特点。接下来，重点介绍了核间通信的概念与几种实现方式，尤其是基于消息池的控制/状态通信。然后，对内核互斥、初始化流程等一些重要的细节展开了论述。最后提出了双核任务分工的两种应用模型，并分别举例。　　背景与基本概念在开发MCU应用系统时，如果单颗MCU无法满足系统的要求，一个很普遍的做法就是使用两颗或更多的MCU，把一部分“杂项工作”分配给另一个有“助理”性质的低端MCU来完成。但是.

SMP英文全称为Symmetrical Multi-Processing，意指“对称多处理”技术，是指在一个计算机上汇集了一组处理器—即多CPU，各CPU之间共享内存子系统以及总线结构。它是相对非对称多处理技术而言的、应用十分广泛的并行技术。在这种架构中，一台电脑不再由单个CPU组成，而同时由多个处理器运行操作系统的单一复本，并共享内存和一台计算机的其他资源。虽然同时使用多个CPU，但是从管理的角度来看，它们的表现就像一台单机一样。系统将任务队列对称地分布于多个CPU之上，从而极大地提高了整个系统的数据处理

Cortex-M4的寻址空间类型被地址映射规则（上图）和MPU程序划分成了不用的区域，这些区域有以下3大类型内存：一般（Normal）类、设备（Device）类、强有序（Strongly-Ordered）类小端 Little-Endian 模式，即字的最低位（LSB）位于低地址字节。MPU属于Cortex-M4内核的一个外设Cortex-M4还为用户提供了一系列“同步原语”指令，使得操作系统中的进程和线程可以使用这些“同步原语”来实现对内存的无打断访问（无锁编程？），从而实现有保障的“r

高阻态是一个数字电路里常见的术语，指的是电路的一种输出状态，既不是高电平也不是低电平，如果高阻态再输入下一级电路的话，对下级电路无任何影响，和没接一样，如果用万用表测的话有可能是高电平也有可能是低电平，随它后面接的东西定的。...

当我们用C语言进行编程时，指针对应的地址，就是这条总线的地址。对于CPU架构，按总线数量可以分为冯诺依曼架构和哈佛架构，冯诺依曼架构是所有存储器访问共用一条总线，哈佛则是有多条总线(不一定每个数据通道都有一条)。但是C语言编程时，指针的地址空间只有一个，一个地址只能对应一个存储单元，也就是内存是统一编址的，而很多单片机的CPU采用了哈佛架构(如STM32)，由于哈佛架构有多条总线，而每

编码芯片EV1527：有两种解码方法：利用解码芯片TDH6300硬件解码、采用单片机软件解码。EV1527是一片由CMOS设计制造的可预烧内码的学习码编码芯片，由软件解码。内码共有20位元可预烧100万组内码组合，大大降低了使用编码上重复的机率。第4脚就输入相应的数据串，它通过放大器和振荡电路发射出去：信号的频率由第1脚上的电阻和低2引脚上的电源电压共同决定

施密特触发器电路及工作原理    施密特触发电路是一种波形整形电路，当任何波形的信号进入电路时，输出在正、负饱和之间跳动，产生方波或脉波输出。不同于比较器，施密特触发电路有两个临界电压且形成一个滞后区，可以防止在滞后范围内之噪声干扰电路的正常工作。如遥控接收线路，传感器输入电路都会用到它整形。    一般比较器只有一个作比较的临界电压，若输入端有噪声来回多次穿越临界电压时，

电阻R32和电阻R23是怎么实现的电压，FB口的输出是0.8V。正确的计算应该是：0.8/10*(10+27)这样就是输出的电压。SS14是大电流二极管，可以用5819完全替代。还有续流二极管。SS14是40V的耐压，SS12是20V的耐压。

PA6、PA7 USB_ID  USB_ON  都拉高USB_ID:高电压触发外部USB进行充电USB_ON:用来测试SUB已经供电，插上USB答：进入Charger_HOST_Mode说明已经插入USB。电路的开机电路分析：在poweroff函数中关机函数HAL_GPIO_WritePin(DC3V2_EN_GPIO_Port,DC3V2_EN_Pin,GPIO_PI

PA6、PA7 USB_ID  USB_ON  都拉高USB_ID:高电压触发外部USB进行充电USB_ON:用来测试SUB已经供电，插上USB  对内的充电模式分析：手柄插入外部电源，VBUS电平为高。这时USB_ID电平为高，打开Q11莫斯管，进入电源芯片的引脚1,24VBUS.外部电源为手柄进行充电。   对外充电模式分析：当U

DRV2605_Set(DRV260x_RTPMODE,0xFF);//Motor#define DRV260x_RTPMODE     (0x05) 8.6.7 Overdrive Time Offset(Address:0x0D)DRV2406L_SendByte(DRV260x_ODT, 0x84);#define DRV260x_ODT (0x0D)偏移值最多到80

如果POWER_ON 超长时间的按，C17电容会进行慢慢的充电，当电流足够多，达到一定的电压值，G14打开，#MCU_RESET引脚处于低电平，MCU进入复位状态。

电子指南针建立完整形式的地磁传感器椭球误差模型，通过最小二乘估计法拟合得到椭球模型系数，利用椭球模型系数推导地磁传感器误差矩阵和偏移矢量，最后对地磁传感器环境下的输出数据进行校正。增加补偿原件不符合简易知道弹药对实际空间、成本的要求，目前对地磁传感器误差的补偿可采用建立载体磁场数学模型的方法，计算出干扰大小达到补偿的目的。由于地磁场的频率范围很宽，地磁场探测很容易受到载体本身及

Code: 主要用来存储代码Data Const: 用来存储const变量Data Zero: 没有赋值的全局变量Data： 已经赋值的全局变量Heap: 用malloc进行分配Stack: 局部变量SRAM ： MCU用DRAM:  一些内存条NOR:   MCU

原来一直想不通频率为什么可以增加。 一个4M的时钟怎么就可以升高到40M， 现在明白了，4M的时钟并没有被升高， 而是PLL里的VCO这个东西， 这个东西可以产生一定范围的内的任意频率信号， 频率由输入的电压决定， 但是它无法稳定的输出某一个频率信号，所以外接的4M时钟就是用来作为参照的。   所以真正的倍频的时钟信号都是VCO产生的。 VCO能输出的最高频率就是这个PLL能产生的最高频率了 

哈佛结构是，数据和代码分开存在。冯诺依曼结构是在哈佛结构之后提出的，冯诺依曼提出“代码本身也是一种数据”，解决了哈佛结构的一个问题——总线暂用资源太多。冯诺依曼结构是，数据和代码放在一起。首先，通过BIOS（Uboot）将硬盘（Flash）中的程序（数据和代码），全部拷贝到RAM。所以此时RAM内部会分为多个段——代码段，date段，bss段等等。这样相比哈佛结构，就节省了...

压敏电阻"是一种具有非线性伏安特性的电阻器件，主要用于在电路承受过压时进行电压钳位，吸收多余的电流以保护敏感器件。英文名称叫“Voltage Dependent Resistor”简写为“VDR”, 或者叫做“Varistor"。压敏电阻器的电阻体材料是半导体，所以它是半导体电阻器的一个品种。现在大量使用的"氧化锌"（ZnO）压敏电阻器，它的主体材料有二价元素锌（Zn）和六价元素氧（O）所构成。所

以电芯的第一引脚为左手方向，把电芯摆到正读为正确方向。

检测电路1需要一个变压器进行变压，成本比较高。检测电路2只是需要一个光耦，成本较低并且能够很好的完成任务。

这电路如果打开会给电容进行充电，充电的电压从0V到0.7V的时候。这时的三极管处于放大的状态，随着电压的变大流过三极管的电流不断的变大。一直到电压大于0.7V，这时的电流处于稳定的状态。三极管处于完全导通。下面来分析这个电路。1）图上的稳压二极管是5.6V的，只有电容上的电压冲到5.6V时，稳压二极管才会导通。电容充电到5.6V需要一段时间，这样电路就达到了一定的延

先看看4.7us是怎么计算出来的，4.7us是给电容充电的时间。1k*4.7nF=1000*4.7/1000000000=4.7us1微妙等于一百万分之一秒1000毫秒等于1秒1000微妙等于1毫秒0.001微妙等于1纳秒0.000001微妙等于1皮秒利用二极管的前卫电压，分别是12V和11.3V，在关断的时候电流从三极管Q3过电流。这样电容C4的电流会快速放电。如果二

耦合变压器的作用：1、隔离作用，前后级之间没有直流回路。2、阻抗匹配，使前后级之间达到较佳的能量传输。3、给交流信号提供通道。

接地是电路设计中最基础的内容，但又是几乎没人说得清的，几乎每次的培训和交流都会有人问到“老师，有没有一种通用的接地方法可以参考啊？”如果想知道这个问题的答案，请继续耐着性子读下去。 我先给出一个斩钉截铁的答案：“没有”。那咋办呢，我们总不能像中国的厨师一样，教徒弟炒菜时，用到的配料都是“少许”“颜色微黄”“微焦”等感觉性词语吧，当然不是。 为了更好的明了接地的技巧方法，下文中将不再

瞬变二极管又称瞬态抑制二极管(TVS，Transient Voltage Suppressors)，二极管中较常用的一种，是一种高品质的突波吸收器，以二极管（伏安特性）为核心，是目前国际上普遍使用的一种高效能电路保护器件，它的外型与普通二极管相同，但却能吸收高达数千瓦的浪涌功率。     其工作原理不是降低电流变化速率，而是提供一个电流的额外通路。电路中有感性元件（比如说电感线圈、继电器之类）

什么是共模干扰和差模干扰 电压电流的变化通过导线传输时有二种形态，我们将此称做"共模"和"差模"。设备的电源线，电话等的通信线，与其它设备或外围设备相互交换的通讯线路，至少有两根导线，这两根导线作为往返线路输送电力或信号。但在这两根导线之外通常还有第三导体，这就是"地线"。干扰电压和电流分为两种:一种是两根导线分别做为往返线路传输；另一种是两根导线做去路，地线做返回路传输。前者叫"差模"，

当马达开动的时候D4灯亮，D2灯灭。当马达停止的时候D4灯灭，D2灯亮。

如果发表硬件博客可能会被封博客请提前警告我一下4.7uF以上的电容一般选择电解电容。电解电容里面是液体，可能会出现泄漏的现象。电解电容是不太精确的电容，大的电容一般都会选择电解电容。还要特别注意一下电解电容是由极性的电容，是正负极的。焊接的时候如果焊接接反的话会出现爆炸。电解电容是用来储能和滤波，滤波一般是低频波。瓷片电容是没有极性的，瓷片电容的值一般达到2.2uF。一般用来过

为了保证电力系统安全经济运行,必须对电力设备的运行情况进行监视和测量.但一般的测量和保护装置不能直接接入一次高压设备,而需要将一次系统的大电流按比例变换成小电流,供给测量仪表和保护装置使用。在测量交变电流的大电流时,为便于二次仪表测量需要转换为比较统一的电流（我国规定电流互感器的二次额定为5A或1A），另外线路上的电压都比较高如直接测量是非常危险的。电流互感器就起到变流和电气隔离作用。 它是电

电感有4个主要特性1）电感的电流时渐变的，因为电感是由自感产生的。2）电感会阻碍电流的变化。电流变大，电感会阻碍电流变大。电流变小，电感会阻碍电流变小。3）自感的方向与电流的方向相反。4）电感是存储能量的，并不耗能电感的大小由电流的变化决定，dI/dt马达就相当于一个电感，当开关关断的时候它仍然会保持一个电流。此时B点的电压是VDD+12，这个电压很可能会烧

上图是一个控制电机正反转的简单原理图。当S1接通、S4接通，S2断开、S3断开时电机为正转。当S1断开、S4断开，S2接通、S3接通时电机为翻转。中间正待的时间成为死区。为了简洁的讲解电机的控制原理，上图的开关是机械的。其实真正的开关是三极管来控制的，那么就会出现问题了。三极管有NPN和PNP两种。它们的打开和关断都不是瞬间的而是有一定的时间间隔的。N型三极管的

A. 遵照“先大后小，先难后易”的布置原则，即重要的单元电路、核心元器件应当优先布局．B. 布局中应参考原理框图，根据单板的主信号流向规律安排主要元器件C. 布局应尽量满足以下要求:总的连线尽可能短，关键信号线最短;高电压、大电流信号与小电流，低电压的弱信号完全分开;模拟信号与数字信号分开；高频信号与低频信号分开；高频元器件的间隔要充分．为了减少层间信号的电磁干

恒流源原理与作用 一：原理恒流亦可叫稳流，意思相近，一般可以不加区别。与恒压的概念相比，恒流的概念就难于理解一些了，因为日常生活中恒压源是多见的，蓄电池、干电池是直流恒压 电源，而 220V 交流电，则可认为是一种交流恒压电源，因为它们的输出电压是基本不变的，是不随输出电流的大小而大幅变化的。 首先举例说明：一个恒定电流值调至 1A 的，最高输出电压可达 100V 的一个恒流电

磁保持继电器动作原理分析动作原理：磁保持继电器其触点开、合状态平时由永久磁铁所产生的磁力所保持。当继电器的触点需要开或合状态时，只需要用正（反）直流脉冲电压激励线圈，继电器在瞬间就完成了开与合的状态转换。通常触点处于保持状态时，线圈不需要继续通电，仅靠永久磁铁的磁力就能维持继电器的状态不变。下面是，当继电器的触点需要置位时，只需要用正直流脉冲电压激励线圈J2，线圈J2励磁后产生的磁极与永磁

原始电路是并联的电容是10nF、39欧姆。现象是灯不能够完全关闭。现在改为1nF、30欧姆，问题完全解决。1nF的耐压电容是1000V，封装为1206功率因数（Power Factor）的大小与电路的负荷性质有关， 如白炽灯泡、电阻炉等电阻负荷的功率因数为1，一般具有电感性负载的电路功率因数都小于1。功率因数是电力系统的一个重要的技术数据。功率因数是衡量电气设备效率高低的一

磁珠英文Ferrite Beads，简写FB磁珠专用于抑制信号线、电源线上的高频噪声和尖峰干扰，还具有吸收静电脉冲的能力。磁珠是用来吸收超高频信号，像一些RF电路，PLL，振荡电路，含超 高频存储器电路（DDR SDRAM，RAMBUS等）都需要在电源输入部分加磁珠，而电感是一种蓄能元件，用在LC振荡电路，中低频的滤波电路等，其应用频率范围很少超过 50MHZ。磁珠的功能主要是消除存在于传

这个电路的前半部分时电源的设计，如果用LM7812集成电源成本就会太高。因此采用稳压二极管来设计稳压电源。这个12V的电源来带动马达，马达的开关又由另一个三极管控制。R1的作用是用来对D1进行限流，通过一定的电流D1就会表现出12V稳定的电压。C1，C2，C3它们拥有共同的作用，这作用就是使电源稳定。在电源的前面加电容过滤和在电源的后面加电容过滤，它们的效果是一样的。下面分析三极管是怎么控制马

315M/433M：这些无线射频技术广泛运用在车辆监控、遥控、遥测、小型无线网络、工业数据采集系统、无线标签、身份识别、非接触RF等场所，也有厂商将其引入智能家居系统，但由于其抗干扰能力弱，组网不便，可靠性一般，标准混乱，安全性很低，在智能家居中的应用效果差强人意，泛善可陈，最终被主流厂商抛弃。　　ZigBee：Zigbee的基础是IEEE802.15。但IEEE仅处理低级MAC层和物理层协议，因此