拓荆科技登陆科创板：募资约23亿元，总市值突破100亿元

4月20日，拓荆科技股份有限公司（下称“拓荆科技”，SH:688072）在科创板上市。本次上市，拓荆科技发行3161.98万股，发行价为71.88元/股，募资总额为22.73亿元，募集资金净额为21.28亿元。

按发行价计算，拓荆科技的市值达到90.57亿元。据贝多财经了解，拓荆科技在上市首日以95.01元/股的价格开盘。截至收盘，拓荆科技报92.30元/股，较IPO发行价上涨28.41%，总市值突破100亿元，达到116.74亿元。

公开信息显示，拓荆科技成立于2010年，主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务，该公司聚焦的半导体薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大主设备。

根据介绍，拓荆科技的主要产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备3个系列，已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线，并已展开10nm及以下制程产品验证测试。

拓荆科技宣称，其是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD、SACVD设备厂商，也是国内主要的量产型ALD设备供应商，产品已用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线，并展开10nm及以下制程产品验证测试。

2018年、2019年、2020年和2021年1-9月（前三季度），拓荆科技的收入分别为7064.40万元、2.51亿元、4.36亿元和3.74亿元，净利润分别为-1.03亿元、-1936.64万元、-1169.99万元和-5704.87万元。

扣除非经常性损益后，拓荆科技在2018年、2019年、2020年和2021年前三季度归属于母公司所有者的净利润分别为-1.50亿元、-6246.63万元、-5711.62万元和-2305.21万元，尚未实现盈利。

拓荆科技称，主要由于半导体设备行业技术含量高，研发投入大，产品验证周期长，公司持续进行了大量的研发投入。报告期内，该公司研发费用分别为1.08亿元、7431.87万元、1.23亿元和1.30亿元，占各期营业收入的比例为152.84%、29.58%、28.19%和34.65%。

研发费用金额较高和占营业收入的比例较大，拓荆科技的研发成果也十分显著。截至2022年3月8日，拓荆科技已获授权专利174项（境内153项，其他国家或地区21项），其中发明专利98项（境内77项，其他国家或地区21项）。

据智慧芽数据显示，拓荆科技共有528项专利申请信息，其中99.12%为发明专利或实用新型，外观设计占0.38%。经分析可知，拓荆科技的专利布局主要集中在半导体、加热盘、薄膜沉积等领域。

拓荆科技在招股书中称，该公司产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂产线，打破国际厂商对国内市场的垄断，与国际寡头直接竞争。

另据介绍，拓荆科技的在研产品已发往某国际领先晶圆厂参与其先进制程工艺研发。此外，拓荆科技的产品还已适配国内最先进的28/14nm逻辑芯片、19/17nm DRAM芯片和64/128层3DNAND FLASH晶圆制造产线。

最新招股书显示，截至2021年12月31日，拓荆科技的资产总额为25.18亿元，较2020年12月31日增长38.79%。截至同期，该公司所有者权益和归属于母公司所有者权益分别为11.93亿元、11.93亿元，分别同比增长6.31%、6.27%。

2021年，拓荆科技的营收为7.58亿元，同比增长73.99%；净利润为6692.73万元，相对已扭亏为盈；扣非后净利润为-8200.19万元，2020年同期为-5711.62万元。