器件的验证和测试

器件的验证和测试

因为国内外芯片短缺，于是，就有了走某宝渠道购买了一些器件。因为某宝上面货源，不能确定是从哪里过来的渠道，于是开始对器件开始检测，简单的分享一下，测试过程吧，顺便介绍一下，涉及的一些知识点。

测试一

电压基准芯片的测量：

首先要测量的是一个高端的电压基准芯片LM4040B50IDCKR，既然高端，自然可以猜到，它首先要做到稳定，然后电压精度高,这个时候，我们查询数据手册就好了。

查询数据手册常用网站：https://www.alldatasheetcn.com/

数据手册提供的原理图如下：

测试结果：

0-30V   电压表测得Vz的电压为4.98V ，示波器测得5.04V

简单分析：

根据数据手册误差是0.2%，范围应该是4.999-5.001范围，测得范围超过范围，推测因为精度过高，需要更高精度的测量仪器，不过最重要的特性测出，主要将超过5V的电压钳位到5V，起到保护器件的作用，该器件功能基本没问题，测试通过；如需测量精度，需要更加精密的测量仪器，条件也不支持。

测试二

电压跟随电路的测试：

这里测试的器件是LMV331，这里应用电路是做一个电压跟随器，使得前后端起到一个隔离保护的作用，实现阻抗匹配。

简单了来说，电压跟随，就像一个中间人，输入什么电压给它，他就输出什么电压，能够保证输入和输出不会受到其它因素的影响。

简单的看下，电路原理图：

就一个简单的电压跟随器，但是我测了一下U12-F4点的电压，发现本应该参考电压为2.048V的电压，实际上测得为1.15V。

我先看了下，pcb板走线，未发现异常。

打开datasheet，发现是个比较器，人都emo~了，看原理图设计，怎么看也是个运放设计用作跟随器的，于是，准备验证一下，首先我用了Multisim仿真，发现怎么仿真都没问题，感觉这仿真模型可能有点问题。

换用Tina试一下看看，对着原理图画一下，软件报错了，于是更改了连接方式，就得出就出现下面的结果了

上面软件模型的电源和GND的方向应该是有问题，芯片可以参考下面这个封装图：

对于上面设计，如果想要继续使用这个比较器，那么就只能改一版pcb了，又或者直接重新选型，选一个合适运放，作为电压跟随电路。毕竟我看，原理图上设计直接替换成运放是没问题的，或者说，这本来就是当作一个运放设计的。

因为这里要求也不高，失调电压不要太大就行了，只是一个简单的跟随电路。我简单选了一下型号LM321LVIDBVR，这是一个单路 5.5V、1MHz、3mV 失调电压运算放大器，就一个简单通用运放，性价比还不错。当然，还需要验证测试。

Datasheet对应的参考电路如下：

内部有ESD防护，那就不用外部对它做防护设计了，省事。

ESD知道什么吗？

静电放电（Electrostatic Discharge，ESD）:是指具有不同静电电位的物体互相靠近或直接接触引起的电荷转移。当带了静电荷的物体（也就是静电源）跟其它物体接触时，这两个具有不同静电电位的物体依据电荷中和的原则，存在着电荷流动，传送足够的电量以抵消电压。这个电量在传送过程中，将产生具有潜在破坏作用的电压、电流以及电磁场，严重时会将物体击毁。

简单说，你不小心用手碰了一下电路板，后面发现板子不正常了，可能就是因为电路没有做ESD防护设计，这就是静电导致的危害。

那么运放，你们知道怎么选型呢？（运放这个比较难举例，我就尽量精简的说吧）

对于运放，你必须得知道下面几个概念：

失调电压、失调电流、偏置电流、增益带宽积、共模抑制比、失调电压温漂、转换速度

1、失调电压Vos

定义：将运放输入端接地，理想运放输出为零，但实际的运放输出不为零。将实际运放的输出电压除以增益所得到的等效输入电压称为失调电压。

**影响因素：**温度（对应失调电压温漂）、电源波动（对应电源抑制比）

**影响结果：**运算放大器输出结果同理论值存在偏差，并且由于受温度和电源波动的影响，此误差并不是固定值。**注意：**Vos为直流偏置，直接叠加在输出上，因此如果是交流信号不必过多担心该值，但是需要考虑是否叠加后超过供电电压导致信号失真。

2、偏置电流IB

定义：当运放输出直流电压为零时，运放两个输入端流进或者流出直流电流的平均值

影响因素：制造工艺，双极型工艺（即上述的标准硅工艺）的输入偏置电流在±10nA~1μA之间；场效应管做输入级，输入偏置电流一般低于1nA。

影响结果：运算放大器输出结果同理论值存在偏差，可以通过在同相端增加匹配电阻**，**实现误差消除。

3、失调电流Ios

定义：当运放输出直流电压为零时，运放两个输入端流进或者流出直流电流的差值

**影响因素：**制造工艺，很难保证两个输入端口的偏置电流相等

**影响结果：**同样在运放输出信号引入误差

4、增益带宽积GBP（Gain Band with Product）

**定义：**在某频率下测量的开环电压增益与测量频率的乘积，GBP=FH*AM

**影响因素：**运放内容结电容的频率响应特性导致的。

**影响结果：**该参数表明在设计过程中必须考虑放大增益倍数同信号频率之间的关系，高频信号增益大小受限，必须选用GBP参数较大的运放

5、共模抑制比CMRR（Common Mode Rejection Ratio）

定义：放大器对差模信号的电压放大倍数Aud与对共模信号的电压放大倍数Auc之比，CMRR=Aud/Auc或者表示为CMR=20lg│Aud/Auc│(dB)。

影响因素：电路对称性（失调电流等参数）、线性工作范围

影响结果：这一参数是为了说明差分放大电路抑制共模信号及放大差模信号的能力，抑制共模输入的干扰信号提高信噪比

6、失调电压温漂αVOS

**定义：**芯片承受温度范围内，输入失调电压的变化与温度变化的比值

**影响因素：**温度

影响结果：失调电压发生变化，导致运放输出受到干扰，如果是直流信号后面跟A/D，直接影响最后检测结果。

7、转换速度SR（Slew Rate）

**定义：**也称为压摆率，将一个大信号（包括阶跃信号）输入至运放输入端，运算放大器输出电压的上升速率，单位有通常有V/s，V/ms和V/μs。压摆率的数学定义：SR=2×pi×f×Vpk式中：f为最大频率，一般认为是带宽；Vpk是放大输出信号的最大峰峰值。

**影响结果：**评价运放对信号变化速度的适应能力，是衡量运放在大幅度信号作用时工作速度的参数。当输入信号变化斜率的绝对值小于SR时，输出电压才按线性规律变化。

知道这些基本特性，到底该如何选型呢？

1、看输入信号类型

交流还是直流？差分还是单端？低频还是高频？

直流注意失调电流、失调电压参数；差分输入判断是否选择仪表放大器；高频交流注意增益带宽积GBD和转换速度SR；

2、精度要求

根据精度要求，重点计算失调电压、偏置电流、失调电流以及共模抑制比对精度影响，判断是否选用高阻运放或者是精密运放。

3、环境条件

温度是不是很高？温度变化是不是很大？电源纹波是不是很大？

看看运放温度量程；注意温漂参数影响；注意电源纹波抑制比PSRR参数；

4、其他要求

**1）通道数：**如果是多级在确定其他指标前提下选用多通道运放；

**2）单/双电源：**选轨对轨信号失真小，可满幅值输出；

**3）功率大小：**高压或大电流选用专用功率运放；

当我们去官网对运放选型时候，你会看到运放分为下面几种：

1、通用运放

高性价比：要求均不高的电路，或者仅对功耗、带宽等单一条件有要求，刚我选的型号，用的就是通用运放。

2、精密运放

低失调电压，小于1mV。

低温漂；低噪声；低功耗；宽带宽。

3、高速运放

增益带宽积50MHz~8GHz（参考TI）

低功耗、低噪声SNR。

高输入阻抗需求和全差分。

4、音频运放

总谐波失真加噪声（THD+N）；超低噪声（高保真）；低功耗（高续航）；小封装（耳机等）

汽车电子；通道数等等，价格较高

5、功率运放**（负载大的话，自然选功率运放）**

高电压；高电流；小封装

通道数；带宽

这里只是对运放进行简单的介绍，仅仅提供一个方向，可以自己有针对性的去学习。我想你也能看出，运放这个不怎么好掌握。如果想要学好运放，还是需要自己去设计对应的电路，在调试的过程中学习，才能应用自如。

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