关于单片机XBYTE和NAND FLASH地址问题综述

在一般的读写外部RAM的程序中，经常看到这样的句子：

   XBYTE[address]=data   写数据

   data=XBYTE[address]   读数据

采用XBYTE后，就不用顾及其时序，就是说，读写数据的时候，WR和RD怎么都不用用程序去控制。

读写外部RAM的程序，不需关注WR和RD端口的控制。

#define W_DATA XBYTE[0x1000]

W_DATA=0X55;

上面语句转为汇编表示如下：

mov  dptr,#1000h

mov  a,#55h

movx @dptr,a

因为对于单片机仅仅MOVX指令（16位指令）才能访问外部数据存储器，又因为单片机P0口已经作为数据口与单片机相连，因此只能使用拥有高8位地址的P2口，且P2口仅仅在16位地址操作中才有用，因此编址采用16位形式，用不到的补零。

而对于Nandflash访存操作XBYTE[1000]中的地址是由硬件电路的连线所决定的，一般来说flash的操作分为命令、地址、数据，而这三个操作是由ALE、CLE信号（引脚）来区别的，一般这两个引脚会与单片机P2口相连接。ALE、CLE信号如下：（0,1）写命令、（1,0）写地址、（0，0）写数据，因此ALE、CLE与P2口连接情况决定了Nand的命令端口、地址端口和数据端口。

例如若ALE与P2.7，CLE与P2.6，WP与P2.5相连，且由于P2口对应XBYTE的高位，因此可知Nand的命令端口地址为：0x6000（01100000），地址端口地址为：0xA000（10100000），数据端口地址为：0x2000（00100000）。

 

Nandflash 的存储结构如下（不同的flash的行、列数不同）：
（上传不了图片。。）

 

Flash共分位64K个行（页），2K+64个列。其中每页含2K+64个字节，每列1个字节。下图Flash容量为64K*（2112）= 132MB。

其访存时的4个地址序列中，A0-A11（2048）个地址确定列，A12-A27（65536）确定页也就是行，这样就能确定所要访问的字节地址了。

例如，若想访问第3页的第1列的数据，则4个地址序列分别为：0x80(A0-A7),0x00(A8-A11),0xc0,0x00