*_*[网] 2003-10-29 5:39:18

习惯像你一样开着小灯睡...............

翻开你我的相薄.....

一个熟悉的脸,一个熟悉的笑,一场熟悉的电影...............

我整理起你我的点点滴滴

是你硬要帮我付钱的一张超市的购物单

是你帮我从外面带外卖的一张收银纸

是我生日时你花了好多钱送我大衣的凭证

是.........你为我做的点点滴滴........

我小心翼翼地放进相薄后面空白的夹层内..........正正好好全放完,空白地儿也没了.......

我想哭.......可哭不出来........也许,我已经麻木了..........

也许,想你.........已经成为了没有理由的生活必须..........
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半导体器件 机械和气候试验方法 (英文) ———第 1 部分:总则; ———第 2 部分:低气压; ———第 3 部分:外部目检; ———第 4 部分:强加速稳态湿热试验( HAST ); ———第 5 部分:稳态温湿度偏置寿命试验 ———第 6 部分: 高温贮存 ———第 7 部分:内部水汽含量测试和其它残余气体分析 ———第 8 部分:密封 ———第 9 部分:标志面耐久性 ———第 10 部分:机械冲击 ———第 11 部分:快速温度变化 双液槽法; ———第 12 部分:扫频振动; ———第 13 部分:盐雾; ———第 14 部分:引出端强度(引线牢固性); ———第 15 部分:通孔安装器件的耐焊接热; ———第 16 部分:粒子碰撞噪声检测(PINT) ———第 17 部分:中子辐照; ———第 18 部分:电离辐射(总剂量); ———第 19 部分:芯片剪切强度; ———第 20 部分:塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响; ———第 20-1 部分:对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输; ———第 21 部分:可焊性; ———第 22 部分:键合强度; ———第 23 部分:高温工作寿命; ———第 24 部分:加速耐湿 无偏置强加速应力试验(HSAT) ———第 25 部分:温度循环 ———第 26 部分:静电放电( ESD )敏感度测试 人体模型( HBM ); ———第 27 部分:静电放电( ESD )敏感度测试 机器模型( MM ); ———第 28 部分:静电放电(ESD)敏感度试验 带电器件模型(CDM)器件级 ———第 29 部分:闩锁试验 ———第 30 部分:非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理; ———第 31 部分:塑封器件的易燃性(内部引起的); ———第 32 部分:塑封器件的易燃性(外部引起的); ———第 33 部分:加速耐湿 无偏置高压蒸煮 ———第 34 部分:功率循环 ———第 35 部分:塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查 ———第 36 部分:恒定加速度 ———第 37 部分:基于加速度计的板面液滴测试方法 ———第 38 部分:带存储器的半导体器件软误差测试方法 ———第 39 部分:半导体元件用有机材料中水分扩散率和水溶性的测量 ———第 40 部分:基于应变仪的板面液滴试验方法 ———第 41 部分:非易失性存储器的标准可靠性试验方法 ———第 42 部分:温湿度贮存。 ———第 43 部分:集成电路可靠性认证计划指南 ———第 44 部分:半导体器件的中子辐照单粒子效应(SEE)试验
半导体器件 机械和气候试验方法 (英文) ———第 1 部分:总则; ———第 2 部分:低气压; ———第 3 部分:外部目检; ———第 4 部分:强加速稳态湿热试验( HAST ); ———第 5 部分:稳态温湿度偏置寿命试验 ———第 6 部分: 高温贮存 ———第 7 部分:内部水汽含量测试和其它残余气体分析 ———第 8 部分:密封 ———第 9 部分:标志面耐久性 ———第 10 部分:机械冲击 ———第 11 部分:快速温度变化 双液槽法; ———第 12 部分:扫频振动; ———第 13 部分:盐雾; ———第 14 部分:引出端强度(引线牢固性); ———第 15 部分:通孔安装器件的耐焊接热; ———第 16 部分:粒子碰撞噪声检测(PINT) ———第 17 部分:中子辐照; ———第 18 部分:电离辐射(总剂量); ———第 19 部分:芯片剪切强度; ———第 20 部分:塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响; ———第 20-1 部分:对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输; ———第 21 部分:可焊性; ———第 22 部分:键合强度; ———第 23 部分:高温工作寿命; ———第 24 部分:加速耐湿 无偏置强加速应力试验(HSAT) ———第 25 部分:温度循环 ———第 26 部分:静电放电( ESD )敏感度测试 人体模型( HBM ); ———第 27 部分:静电放电( ESD )敏感度测试 机器模型( MM ); ———第 28 部分:静电放电(ESD)敏感度试验 带电器件模型(CDM)器件级 ———第 29 部分:闩锁试验 ———第 30 部分:非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理; ———第 31 部分:塑封器件的易燃性(内部引起的); ———第 32 部分:塑封器件的易燃性(外部引起的); ———第 33 部分:加速耐湿 无偏置高压蒸煮 ———第 34 部分:功率循环 ———第 35 部分:塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查 ———第 36 部分:恒定加速度 ———第 37 部分:基于加速度计的板面液滴测试方法 ———第 38 部分:带存储器的半导体器件软误差测试方法 ———第 39 部分:半导体元件用有机材料中水分扩散率和水溶性的测量 ———第 40 部分:基于应变仪的板面液滴试验方法 ———第 41 部分:非易失性存储器的标准可靠性试验方法 ———第 42 部分:温湿度贮存。 ———第 43 部分:集成电路可靠性认证计划指南 ———第 44 部分:半导体器件的中子辐照单粒子效应(SEE)试验
半导体器件 机械和气候试验方法 (英文) ———第 1 部分:总则; ———第 2 部分:低气压; ———第 3 部分:外部目检; ———第 4 部分:强加速稳态湿热试验( HAST ); ———第 5 部分:稳态温湿度偏置寿命试验 ———第 6 部分: 高温贮存 ———第 7 部分:内部水汽含量测试和其它残余气体分析 ———第 8 部分:密封 ———第 9 部分:标志面耐久性 ———第 10 部分:机械冲击 ———第 11 部分:快速温度变化 双液槽法; ———第 12 部分:扫频振动; ———第 13 部分:盐雾; ———第 14 部分:引出端强度(引线牢固性); ———第 15 部分:通孔安装器件的耐焊接热; ———第 16 部分:粒子碰撞噪声检测(PINT) ———第 17 部分:中子辐照; ———第 18 部分:电离辐射(总剂量); ———第 19 部分:芯片剪切强度; ———第 20 部分:塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响; ———第 20-1 部分:对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输; ———第 21 部分:可焊性; ———第 22 部分:键合强度; ———第 23 部分:高温工作寿命; ———第 24 部分:加速耐湿 无偏置强加速应力试验(HSAT) ———第 25 部分:温度循环 ———第 26 部分:静电放电( ESD )敏感度测试 人体模型( HBM ); ———第 27 部分:静电放电( ESD )敏感度测试 机器模型( MM ); ———第 28 部分:静电放电(ESD)敏感度试验 带电器件模型(CDM)器件级 ———第 29 部分:闩锁试验 ———第 30 部分:非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理; ———第 31 部分:塑封器件的易燃性(内部引起的); ———第 32 部分:塑封器件的易燃性(外部引起的); ———第 33 部分:加速耐湿 无偏置高压蒸煮 ———第 34 部分:功率循环 ———第 35 部分:塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查 ———第 36 部分:恒定加速度 ———第 37 部分:基于加速度计的板面液滴测试方法 ———第 38 部分:带存储器的半导体器件软误差测试方法 ———第 39 部分:半导体元件用有机材料中水分扩散率和水溶性的测量 ———第 40 部分:基于应变仪的板面液滴试验方法 ———第 41 部分:非易失性存储器的标准可靠性试验方法 ———第 42 部分:温湿度贮存。 ———第 43 部分:集成电路可靠性认证计划指南 ———第 44 部分:半导体器件的中子辐照单粒子效应(SEE)试验

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