nand flash基础——基本操作

nand flash最基本的操作就是读写擦。

读

对于处于被擦除状态的cell， Vth都在0V（Vread）以下；而被写之后的cell，Vth则处于0V（Vread）和Vpassr之间。Vpassr在4V以下。根据这样的特性，则可以通过设置偏置电压来使cell处于导通状态。

当需要读取一个cell时，在栅极（gate）上需要提供一个Vread电压（0V），在其他的cell上加上一个Vpass,r电压，通常在4-5V，这个电压是大于Vpassr的，足以使cell导通，无论是在被擦除状态和被写的状态。

这样的话，string上的导通情况就由被读取的cell状态决定。如果这个cell是被擦除的，0V的电压就足以导通；如果这个cell是被写过的，则0V不足以使其导通。于是存在两种状态，可以代表一个bit的信息。导通状态下，string上就存在电流，通过sense amplifier可以转换为电压信号。

写