nand flash基础——读写擦操作

当对一个cell进行读操作时，对相应的wordline施加Vread电压，对其他wordline施加Vpass电压，如上图所示。状态为“0”的cell（被program的cell）的Vth均大于0，状态为“1”的cell（被erase的cell）的Vth均小于1，且所有cell的Vth有一个上限，所以对其他cell施加一个能确保导通的Vpass电压， 对要读数据的cell加一个电压值在两种状态之间的Vread，如果该cell为“0”，则不会形成source到drain端的通路，在bitline上检测不到电流，反之可以检测到电流。电流的检测是通过sense amplifier实现的。

以上过程只是针对SLC cell，对于MLC，TLC，具有更多的状态，读的过程也更加复杂。

参考 

Inside NAND Flash Memories