《电源设计基础》阅读笔记 1~3章_电源设计基础pdf罗伯特-CSDN博客

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《电源设计基础》作者: 罗伯特.A.曼马诺出版社: 辽宁科学技术出版社

一、简介

1.电源的作用

电源可以是作为供电系统和“有用的系统”（负载）的中间级，保护系统不受严酷电网的影响，提供给系统可控的、可调节的、受保护的电压。

2.供电系统的基本情况

供电系统包括电网和直流电源（电池）。

各国电网的交流电压幅值和频率不同，范围是85VAC~265VAC，47~63Hz。大陆是220VAC50Hz。

一些行业标准电压值：

通信、电脑背板48V，军用28V，工业24V，（传统）汽车12V，消费性电子1.5~20V。

标准制定的背后：电压越高损耗越小，安规标准规定60VDC为最大“安全”电压

消费性电子产品标准直流电源由电池额定电压决定，锂电子电压范围2.5~4.5V

3.负载对电源的要求

电流电压：数量、额定值、容差、纹波、噪声、峰值、最大过载、突变波动响应

过电流、过电压下故障保护类型

效率、功率因素

体积、成本、功率密度

4.电源分类

假设大多数负载都是DC负载，最基础分为AC-DC，DC-DC

隔离型、非隔离型

二、电压调节

1.线性（模拟）稳压器

1 稳压二极管电路

电路结构：限流电阻+稳压二极管

原理：令稳压二极管工作在反向击穿状态（线性工作状态），通过控制流过稳压二极管电流 $I_z$ 的变化改变限流电阻电压 $R_s$ 的变化，使负载电压稳定（可用负反馈原理分析）

$R_s$ 设计指标：不限制最大的负载电流，不超过最大的稳态二极管工作电流

$I_zmax$ 、 $I_Lmax$ (流过负载电流最大值）

$Izmax>I_Lmax$

$R_s>(Umax-Uo)/Izmax$

$R_s<(Umin-Uo)/I_Lmax$

缺点：损耗大，精度差，功率小，输出电压固定，输出电流有限

优点：稳定性好，瞬态响应速度快，可靠性高

2 线性稳压器

电路结构：调整管+反馈电路

原理：“可变串联阻抗”+反馈

早期使用：一对NPN晶体管（达林顿结构）高耐压、大电流、电流增益高，但电压差>2V

后期使用：PNP+NPN 输入输出压降>0.5V PNP带来额外损耗

现在：功率MOSFET 导通阻抗低 LDO(低压差线性稳压器low dropout regulator)

缺点：效率低

优点：前级输入电压预调节后可以得到低压差

2 开关稳压器

电路结构：开关+控制电路+滤波

原理：斩波+储能滤波

优点：效率高

缺点：设计复杂、元器件数量、电磁噪声

控制器

脉冲宽度调制（PWM）

将控制信号和固定频率的斜坡波形比较

模数转换器，将模拟控制电压转换成数字离散、时间定义的脉冲宽度来驱动功率开关管

开关电源控制器包含的功能：基本控制功能、保护功能、拓扑特殊功能

三、基本元件

1.电阻

分类：碳膜电阻、金属膜电阻、绕线电阻、PCB铜箔走向电阻、陶瓷电阻…

选择参数：阻值及功率

2.电容

分类：

无极性电容-薄膜电容、陶瓷电容、其他

有极性电容-电解电容、超级电容

选择参数：电容值、电压等级、等效串联电阻（ESR）、等效串联电感（ESL）、峰值和RMS电流额定值、初始容差及老化效应、温度限制、最大dV/dt等级、失效机理、成本、尺寸

3.整流二极管

二极管正向和反向特性（伏安特性）

重要参数：导通压降（正向电压）、反向偏置漏电流、击穿电压、反向恢复时间

类型	应用场合	正向压降	反向电压	恢复时间
普通硅二极管	低频功率电子	0.7	>500V	us
高速二极管	逻辑开关场合	0.7	<100V	ns
肖特基二极管	快恢复场合	0.3	<50V	ps
碳化硅二极管	高速、大电压场合	1.4	<1kV	ns

4.半导体开关器件

双极性晶体管（BJT）	稳定可靠、种类多样、成本低，电流驱动型器件，导通阈值电压和饱和电压降低，很难关断，逐渐退出市场
结型场效应管（FETs）	在电源转换里应用得少
MOSFETs	主力产品，速度快，效率高，电压驱动型，栅极呈电容性，需大瞬态电流实现快速开关
IGBTs	高电压，低开关速度，低损耗
晶闸管	能量回馈式开关，高电压，快速开关场合
其他新型材料	SiC，SiGe，GaAs，GaN，仍待市场检验

重点关注MOSFET

高速开关电路的功率损耗来源:

栅极电容充放电电流损耗（主要在驱动电路中） $Vdrv\times Qg\times fsw$