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原创 精通开关电源设计
由电感方程可知,开关导通阶段的电流增量。伏秒积 :电感电压与作用时间的乘机。电感电流必须连续,电容充电时间。,任何拓扑都须满足此公式。(稳态,L的单位是uH)
2024-08-01 11:28:28
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原创 开关电源温升测试的小细节
众所周知,开关电源是一种高能量密度的电能转换装置,功率可达几千瓦,效率也很高(一般而言,功率越高,效率越高,4千瓦的电源可达97以上的效率)。然而,开关电源体积小,往往几十瓦的损耗也会带来严重的发热问题,更何况工业电源会有高温的使用环境,处理好发热问题,有利于提高电源寿命和可靠性。
2023-12-08 11:37:28
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原创 安规电容为什么叫X/Y电容
安规电容是抑制电源电磁干扰的电容的一种统称。主要分为X电容和Y电容。注意:跨接变压器原副边的安规电容为Y电容,两端接不同地(同侧不同地)的电容也为Y电容。即大部分时候,直接接在线线端的是X电容,而一端接线一端接地的为Y电容(常常成对出现)安规电容一般容量较大,两端施加电压较大(几百伏特),需要有绝缘性能(能摸)L为Line(即火线)、N为Neutral(即零线)、G为Ground(即接地线)1.抑制干扰,一般X电容能抑制差模干扰,Y电容能抑制共模干扰。泄放电阻:输入侧的安规电容两端常加泄放电阻。
2023-09-21 10:13:30
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原创 防反电路 Oring原理
利用比较器的方法是最简单的,如图 5 的左侧所示。尽管如此,它却有一个致命的缺点,如果电压大于0V,那么 MOSFET 将开启,而电压小于 0V 时则被关闭。如果负载电流能够接近0A,那么VAC则降低至 0V,而该电压刚好是比较器的阈值电压。图5左侧显示了一个简化的调节 VAC 的方法。所选择的已调整的电压小于IFL * RDSON(IFL 为满负载 MOSFET 电流),这样就可避免满负载压降及功率损耗 的增加。相反地,如果 VAC 小于 VP,放大器就驱动栅极为低,在电流反向之前关闭 MOSFET。
2023-08-31 19:58:36
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原创 开关电源频率选择
MOS管的损耗,主要包括硬开关损耗,导通损耗,cross损耗等。相对来说,频率越高,损耗越高。所以需要考虑使用软开关技术,工作在TVS状态下。由于软开关技术所需的电路更加复杂,可能导致单片机驱动电路引脚不足。同时,系统可靠性也会降低。开关电源的BUCK/BOOST常常选择70k~300khz频率,该频率显著低于MOS的理论开关能力。硅基MOS管性能有限,氮化镓MOS开关频率更高。但GaN尚未在工业领域普及。EMI,PCB布局,寄生参数等原因。更高的频率,磁性元件也会有损耗。
2023-08-31 19:57:47
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原创 LLC谐振电路
LLC 开关管在导通前,电流先从开关MOS管的体二极管(S到D)内流过,开关MOS管D-S之间电压被箝位在接近0V(二极管压降),此时让开关MOS管导通,可以实现零电压导通;在关断前,由于D-S 间的电容电压为0V而且不能突变,因此也近似于零电压关断(实际也为硬关断)。令XL=Xc=wL=1/wC,增益为Vo/Vin,显然,谐振时感抗=容抗,电路纯电阻性,增益最大。原边:MOS管,MOS结电容(或并联电容),谐振电感,谐振电容。令L和C串在电路上,当电路频率增加时,感抗增加,容抗减小。
2023-08-31 19:56:59
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原创 去耦电容的使用
去耦电容一般放置在元器件附近,用来滤除高频噪声,保持电压干净,使元器件能正常工作。对一个电路来说,一个供电电源会有多个负载,当一个负载吸收电能时,往往会使得电源电压产生噪声,电压不稳定。可视为电源耦合了器件带来的AC噪声。被耦合了的电源在给其他负载供电时,提供的电压会越来越不稳定。1.给每个负载的输入端并联一个去耦带电容。2.电源的输出端也并联去耦电容滤波。电容本身具有寄生参数,即等效电阻ESR,等效电感,ESL电容实际阻值为,在谐振频率处,等效阻值最小。
2023-08-31 19:55:50
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空空如也
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