开关电源的BUCK/BOOST常常选择70k~300khz频率,该频率显著低于MOS的理论开关能力。
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MOS管的损耗,主要包括硬开关损耗,导通损耗,cross损耗等。相对来说,频率越高,损耗越高。所以需要考虑使用软开关技术,工作在TVS状态下。由于软开关技术所需的电路更加复杂,可能导致单片机驱动电路引脚不足。同时,系统可靠性也会降低。MOS的寄生电容
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更高的频率,磁性元件也会有损耗。
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硅基MOS管性能有限,氮化镓MOS开关频率更高。但GaN尚未在工业领域普及。
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EMI,PCB布局,寄生参数等原因。