开关电源温升测试
众所周知,开关电源是一种高能量密度的电能转换装置,功率可达几千瓦,效率也很高(一般而言,功率越高,效率越高,4千瓦的电源可达97以上的效率)。然而,开关电源体积小,往往几十瓦的损耗也会带来严重的发热问题,更何况工业电源会有高温的使用环境,处理好发热问题,有利于提高电源寿命和可靠性。
测试点选取
一般而言,电源的整流桥,功率器件(MOS管,电感,变压器,二极管等),驱动芯片,各类DSP单片机是发热的核心,一定要测温。此外,功率电阻,各种电解电容也会有一定程度的发热,需要考虑。此外,由于EMC器件,即各种安规电容,保险丝的额定温度较低,考虑到电源的高温应用场景,也有一定的风险,亦须考虑。
测试工具
常用的测试工具一般为热电偶数据采集器,利用胶水将电偶粘在器件表面(背风面),将电源置于恒温温箱,运行至温度稳定即可。
降额
查阅器件的规格书,往往可以得到器件的工作温度范围TJ,如图所示为一芯片的TJ
一般该最大值为器件的结温。注意:热电偶的测量值为壳温。此二者并不一致。厂家提供的温度往往是器件内部的,可使用红外工具获得。工程应用的场景下,工程师很难获得核心区温度,二者需要换算。
有经验公式如下:
结温=壳温+功耗*热阻。
一般情况下,只有半导体器件需要考虑二者的换算问题,在难以计算的时候,也不妨直接认为结温比壳温至少大5摄氏度。针对整流桥,则差距最大可达20度,在设计时需尤其注意。
不同的器件在不同的寿命要求下有不同的降额要求。举个例子,假设电源设计寿命5年,MOS管额定温度150(结温),则降额最大温度应设120度(降额温度换算以后再讲吧),那么测试的热电偶壳温温度应小于115(MOS的功耗*热阻较难计算,直接采用5度的降额),方可满足降额。
其他
1.当测试到电源的某些器件超应力时,需关注其温度。
2.对效率较低的某些功率型国产器件,MOS,变压器等,需尤其关注温度。
3.能改善温度的方法不多,如改善PCB布局和风道等,因此再设计初期应对电源做热仿真。