功率场效应晶体管

　　这种功率场效应晶体管是STMicroelectronics独有的“单一功能”尺寸“条形工艺。结果晶体管显示出极高的封装密度用于低通电阻，崎岖的雪崩特性和不太重要的对齐步骤因此，一个非凡的制造业再现性。
　　晶体管 ST STP40NF03L
　　产品分类：分立半导体产品晶体管
　　封装/外壳：TO-220-3
　　FET类型：N沟道
　　漏源极电压（Vdss）：30V
　　安装类型：通孔(THT)
　　湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）
　　品牌：ST/意法
　　型号：STP40NF03L
　　类型：其他IC
　　封装：TO-220AB
　　批号：10+
　　FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
　　Id时的Vgs333th444111最大222：2.5V @ 250?A封装__外壳：TO-220-3类别：FET - 单FET特点：逻辑电平门闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V
　　供应商设备封装：TO-220AB
　　描述：MOSFET N-CH 30V 40A TO-220
　　漏极至源极电压333Vdss444：30V
　　输入电容333Ciss4440a0Vds：770pF @ 25V
　　包装：管件
　　系列：STripFET?
　　电流_连续漏极333Id4440a025000C：40A
　　功率_最大：70W
　　制造商：STMicroelectronics
　　安装类型：通孔
　　导电方式：耗尽型
　　封装外形：CER-DIP/陶瓷直插
　　材料：MES金属半导体
 

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