Simulink之功率场效应晶体管（P-MOSFET）

功率场效应管（P-MOSFET）属于电压全控型器件，门极静态电阻极高、驱动功率小、工作频率高、热稳定性好；但是电流容量小、耐压低、功率不易做大，常用于中小功率开关电路。

电气符号

外形

特性

输出特性和转移特性（和MOSFET类似）：作为电力开关使用时，导通时必须工作在线性导电区I，否则通态压降太大，功耗也大。

主要参数

通态电阻Ron：在确定Ugs下，由线性导电区进入饱和恒流区时的直流电阻，它是影响最大输出功率的重要参数。

开启电压Ut：沟道形成所需的最低栅极电压。开启电压一般为2~4V。

漏极击穿电压BUds：为避免器件进入雪崩击穿区而设的极限参数。

栅源击穿电压BUgs：栅源所能承受的最高正反电压。一般极限值为±20V。

极间电容：栅源电容Cgs、栅漏电容Cgd、漏源电容Cds。Cin=Cgs+Cgd，Cout=Cgd+Cds，Cf=Cgd。

栅极驱动

1.触发脉冲要有足够快的上升和下降速度，即脉冲前、后沿要求陡峭。

2.为使P-MOSFET可靠触发导通，触发电压应高于开启电压Ut，但不得超过最大触发额定电压BUgs。触发脉冲电压也不能过低，否则会使通态电阻增大，降低抗干扰能力。

3.驱动电路的输出电阻应低，开通时以低电阻对栅极电容充电，关断时为栅极电荷提供低电阻放电回路，以提高开关速度。

4.为防止误导通，在截止时应能提供负的栅源电压。

保护

防静电击穿保护；栅源过压保护；漏源过压保护；短路、过流保护。

仿真模型

路径

电路模型

输入输出

d：漏极    s：源极    g：栅极    m：测量电流和电压[Iak， Vak]

参数

Ron：内电阻。当内电感设为0时，内电阻不能设为0。

Lon：内电感。当内电阻设为0时，内电感不能为0。

Rd：内部二极管电阻。

Vf：内部二极管正向管压降。

Ic：初始电流。设为非零时，初始状态导通。

Rs：缓冲电阻（和缓冲电容串联，与二极管并联）。Rs为0，纯电容。

Cs：缓冲电容（和缓冲电容串联，与二极管并联）。Cs为inf，纯电阻。Rs为inf，Cs为0，消除缓冲。