接线图如下:
当稳压管在反向接法时,当反向电压小于击穿电压时,反向电流很小,呈现的动态电阻很大。通常工作电流越大,动态电阻越小,稳压性能越好。
当反向电压大于击穿电压时,流过二极管的电流急剧增大,但是它两端的电压却基本不变,利用这一点可以用来稳压。
稳压管在准确的电压下击穿,这就使得它可作为限制或保护之元件来使用,因为各种电压的稳压二极管都可以得到,故对于这种应用特别适宜。图中的稳压二极管D是作为过压保护器件。只要电源电压VS超过二极管的稳压值D就导通,使继电器J吸合负载RL就与电源分开。
稳压二极管,英文名称Zener diode,又叫齐纳二极管。利用pn结反向击穿状态,其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象,制成的起稳压作用的二极此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。
在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很小的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更高的稳定电压。
C8051F340-GQR的参数特点
核心处理器:8051
核心尺寸:8-位
速度:48MHz
连接性:EBI/EMI,SMBus(2 线/I?C),SPI,UART/USART,USB外设:欠压检测/复位,POR,PWM,温度传感器,WDTI/O 数:40程序存储容量:64KB(64K x 8)
程序存储器类型:闪存
RAM 容量:4.25K x 8
电压 - 电源(Vcc/Vdd):2.7 V ~ 3.6 V
数据转换器:A/D 20x10b
振荡器类型:内部
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
封装/外壳:48-TQFP
封装/外壳:48-QFP(7x7)