保护电路——反接保护

1.保护定义

        如下图,正常供电时,J8的管脚1接电源VCC,管脚2、3接地线GND,如果J8的管脚1接电源GND,管脚2、3接电源VCC就反接了。

2.保护缘由

        如下图BUCK降压电路,如果电源接反了,输入电压VCC通过续流二极管D14,BUCK降压IC的内部NMOS功率管的寄生二极管,再到地平面构成回路,相当于把输入电源直接接在两个二极管上面,电流极大,将烧毁续流二极管与BUCK降压IC,损坏电路。

        当电压增大时,电流将急剧上升,这么大电流很容易烧毁IC以及二极管。因此需要保护。

3.保护电路

对于负载不大,比如输入电流小于1A的场合,可以使用肖特基二极管

(使用肖特基二极管需要注意压降问题,还有就是经过的电流,会影响功耗)

对于负载较大,比如输入电流大于1A的场合,考虑功耗、压降等问题,使用PMOS管或NMOS管(因为PMOS/NMOS的导通电阻比较小)

电路一:使用PMOS

 设计说明:

1.巧妙利用内部寄生二极管,上电时,通过内部寄生二极管,|V_{gs}| > |V_{th}| , PMOS管完全导通;

2.R29、R31:电阻分压,调整 |V_{gs}| 电压,|V_{gs}| 电压尽量大,这样,R_{on}越小,压降越小,损耗越低;

3.D5、稳压二极管,防止|V_{gs}| 电压超过极限电压。

电路二:使用NMOS管

 

 设计说明:

1.巧妙利用内部寄生二极管,上电时,通过内部寄生二极管,V_{gs} > V_{th} , NMOS管完全导通;

2.R87、R88:电阻分压,调整 V_{gs} 电压,V_{gs}电压尽量大,这样,R_{on}越小,压降越小,损耗越低; 

3.D25、稳压二极管,防止 V_{gs} 电压超过极限电压。

 

### NMOS防反接保护电路设计与工作原理 NMOS防反接保护电路是一种常见的电子电路设计方案,用于防止电源极性错误连接时损坏后续电路。以下是其设计和工作原理的具体说明: #### 设计概述 NMOS防反接保护电路的核心元件是一个N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOS)。这种电路利用了NMOS的开关特性和内置体二极管的方向性来实现防反接功能。 当电源正负极正确连接时,NMOS管的栅极(G)通过外部电路获得足够的高电平信号,使得NMOS管进入导通状态,允许电流从源极(S)流向漏极(D),从而使整个电路正常运行[^2]。 然而,在电源极性接反的情况下,NMOS管的栅极电压会被拉低至接近零伏,导致NMOS管关闭。由于NMOS内部的寄生体二极管方向与反向电流流动方向相反,因此即使有少量泄漏电流也不会影响后级电路的安全性[^3]。 #### 工作原理详解 1. **正常供电情况下的操作** 在正常的电源连接下,输入端提供给NMOS管栅极一个经过分压处理后的稳定高电平信号。此信号通常由齐纳二极管或其他稳压器件生成,并保持在一个安全范围内以避免损害NMOS管本身。一旦达到开启阈值电压VT,NMOS即处于完全导通模式,使负载能够得到所需的电力供应[^1]。 2. **异常供电情况下的防护机制** 若发生误插现象——即将电池或者其他直流电源颠倒接入,则原本应该施加于栅极端子上的正值消失不见甚至变成负数形式。这样一来,不仅阻止了任何有意义的数据传输过程继续下去,而且还能有效隔绝来自外界干扰因素的影响,进而保障敏感组件免受不可逆损伤风险威胁[^4]。 此外值得注意的是,为了进一步优化性能表现并降低整体能耗水平,在实际应用过程中还需要综合考量诸如限流电阻选取大小等因素对于最终效果所产生的潜在作用力差异等方面的内容。 ```python # Python伪代码模拟简单逻辑判断流程 def nmos_protection(voltage_in, threshold_voltage): if voltage_in >= threshold_voltage: return True # 表示NMOS开启,电路正常工作 else: return False # 表示NMOS关闭,起到保护作用 ``` 以上就是关于如何构建基于NMOS技术架构之上的预防措施体系及其背后运作规律的知识要点总结!
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