DDR
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茫茫大士
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DDR4 Bank Groups in Embedded Applications
FROM:https://www.synopsys.com/designware-ip/technical-bulletin/ddr4-bank-groups.html#:~:text=Prefetch%20is%20the%20term%20describing%20how%20many%20words,parallel%20and%20then%20serializing%20it%20out%20the%20interface.DDR4 represents the most complex DR转载 2021-11-26 15:10:08 · 690 阅读 · 0 评论 -
深入解析内存原理:SRAM的基本原理
FROM:https://www.cnblogs.com/lzhu/p/7069461.html1. SRAM芯片的引脚定义早期的SRAM 芯片采用了20 线双列直插(DIP:Dual Inline Package)封装技术,它们之所以具有这么多的针脚,是因为它们必须:• 每个地址信号都需要一根信号线• 一根数据输入线和一根数据输出线• 部分控制线(Write Enable, Chip...转载 2019-11-25 16:41:04 · 3906 阅读 · 1 评论 -
深入解析内存原理:DRAM的基本原理
FROM:https://www.cnblogs.com/lzhu/p/7071488.html前面我们知道了在一个简单的SRAM 芯片中进行读写操作的步骤了,然后我们来了解一下普通的DRAM 芯片的工作情况。DRAM 相对于SRAM 来说更加复杂,因为在DRAM存储数据的过程中需要对于存储的信息不停的刷新,这也是它们之间最大的不同。1. 多路寻址技术最早、最简单也是最重要的一款D...转载 2019-11-25 16:34:32 · 13952 阅读 · 1 评论 -
深入解析内存原理:RAM的基本原理
FROM:https://www.cnblogs.com/lzhu/p/7000487.html1. 寻址原理概述RAM 主要的作用就是存储代码和数据供CPU 在需要的时候调用。但是这些数据并不是像用袋子盛米那么简单,更像是图书馆中用有格子的书架存放书籍一样,不但要放进去还要能够在需要的时候准确的调用出来,虽然都是书但是每本书是不同的。对于RAM 等存储器来说也是一样的,虽然存储的都是代表0...转载 2019-11-25 16:32:11 · 10853 阅读 · 0 评论 -
FPGA学习之路---SDRAM讲解
FROM:https://blog.csdn.net/lusics/article/details/53646233如果对SDRAM原理以及时序不是很了解的朋友,推荐看一下如下这篇文章:SDRAM-高手进阶,终极内存技术指南——完整进阶版PS:这个下载需要积分,可以百度然后在线看=-)*****************************************GO******...转载 2018-10-06 15:34:53 · 5265 阅读 · 0 评论 -
DDR3 SDRAM Package Pinout Description
FROM:http://blog.chinaaet.com/justlxy/p/5100051967 Symbol Type Function CK, CK# Input Clock: CK and CK# are differential clock inputs. All ad...转载 2018-10-06 15:21:23 · 636 阅读 · 0 评论 -
DDR扫盲——关于Prefetch与Burst的深入讨论
FROM:http://blog.chinaaet.com/justlxy/p/5100052027学习DDR有一段时间了,期间看了好多的资料(部分公司的培训资料、几十篇的博文,Micron的Datasheet,JESD79规范等)。但是有一个问题,想了好久(很多资料都没有说明白),至今才算搞明白,所以写一篇文章和大家分享一下。如题,接下来要讨论的主要是关于Prefetch和Burst相关...转载 2018-10-06 15:19:10 · 17081 阅读 · 11 评论 -
DDR扫盲——DDR与DDR2、DDR3的区别
FROM:http://blog.chinaaet.com/justlxy/p/5100051915DDR2与DDR的区别1、速率与预取量DDR2的实际工作频率是DDR的两倍,DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4bit预期能力。2、封装与电压DDR封装为TSOPII,DDR2封装为FBGA;DDR的标准电压为2.5V,DDR2的标准电压为1.8V。3、bit...转载 2018-10-06 15:11:57 · 30225 阅读 · 1 评论 -
DDR扫盲——DDR的特性分析
FROM:http://blog.chinaaet.com/justlxy/p/5100051914存储原理存储原理示意图:行选与列选信号将使存储电容与外界间的传输电路导通,从而可进行放电(读取)与充电(写入)。另外,图中刷新放大器的设计并不固定,目前这一功能被并入读出放大器(Sense Amplifier ,简称S-AMP);DLL延迟锁定回路(DLL)的任务是根据外部时钟动...转载 2018-10-06 15:08:48 · 5915 阅读 · 0 评论 -
DDR扫盲——DDR中的名词解析
FROM:http://blog.chinaaet.com/justlxy/p/5100051913RAS: Row Address Strobe,行地址选通脉冲;CAS: Column Address Strobe,列地址选通脉冲;tRCD: RAS to CAS Delay,RAS至CAS延迟;CL: CAS Latency,CAS潜伏期(又称读取潜伏期...转载 2018-10-06 15:06:45 · 11257 阅读 · 0 评论 -
DDR扫盲——DDR的发展简史
FROM:http://blog.chinaaet.com/justlxy/p/5100051912DDR的种类:1、DDR SDRAM:Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory,双倍数据率同步动态随机存取存储器;2、DDR2 SDRAM:Double-Data-Rate Two Synchronous Dyna...转载 2018-10-06 15:03:54 · 18933 阅读 · 0 评论