光学邻近效应校正

光学邻近效应校正 是采用靠近掩模图形的亚分辨率特征使掩模图
形预畸变，从而使经曝光得到的边界特征满足设计要求。由于微细图形尺寸的
不断减小，密集度愈来愈高，当掩模上微细图形临界尺寸接近或小于曝光波长
时，衍射光场之间的迭加产生明显的相互干涉效应，使最终在硅片表面产生的
光强分布发生畸变，曝光得到的图形偏离掩模设计所要求的形状和尺寸。图形
周期越小，光学邻近效应就越明显。原则上，当特征图形 减小到小于曝光
波长时， 就成为必不可少的需求。在众多 方法中，用亚分辨辅助特
征，包括散射条 、透明的防散射条 以及在矩形角部叠加的衬线，对于
减小稠密和孤立图形的 偏差及改善线端部缩短与角部圆化是相对简单有效
的，而且也增大了各种尺寸特征图形焦深的重叠区，提高了光刻机的能力。
光学邻近效应校正可与相移掩模 如衰减相移掩模 结合起来使用，对提高光刻
分辨率、改善实用焦深、改善光刻图形质量以及提高光刻图形尺寸、形状和位
置精度都会取得更加良好的效果。