基于LPC2400系列ARM的NOR FALSH （SST39VF6401B）的文件系统的设计

最新推荐文章于 2014-11-02 15:21:57 发布

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churenxh

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分类专栏：嵌入式系统文章标签：存储 flash emc 编程数据结构磁盘

本文链接：https://blog.csdn.net/churenxh/article/details/4562003

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本文详细介绍了如何基于LPC2400系列ARM的NOR FLASH（SST39VF6401B）设计文件系统。内容涵盖EMC配置、地址转换、驱动程序以及FAT分配表和数据区设计，为实现文件系统提供关键步骤和函数接口。

摘要由CSDN通过智能技术生成

基于LPC2400系列ARM的NOR FALSH （SST39VF6401B）的文件系统的设计

LPC2400系列的ARM外部存储器控制器（EMC），支持异步静态存储器设备（如RAM，ROM，FLASH）和动态存储器（如SDRAM）。支持8位，16位，32位宽的静态存储器，4个独立的静态存储器片选，CSn0-3。

本文主要讲的是16位宽，片选信号CSn0的的静态存储器NOR FLASH。LPC2400系列的ARM操作16位存储器时，就需要LPC2400系列的ARM的地址线A1连接到存储器的地址A0处，固文件系统的头文件里NOR FLASH的地址定义为：

#define FLASH_ADDR 0x80000000 //CS0

// 转换地址。将要发送给SST39VF640的地址值进行转换,以便于LPC2478输出。

// 由于SST39VF640的A0是与LPC2478的A1相连，所以addr要左移1位。

#define GetAddr(addr) (volatile uint16 *)(FLASH_ADDR|(addr<<1))

在startup.s文件里,初始化静态存储器配置寄存器（EMCStaticConfig0-3），相应位如下：

31：21	20	19	18：9	8	7	6	5：4	3	2	1
保留	写保护（P）	缓冲区使能（B）	保留	延长等待（EW）	字节定位状态（PB）	片选极性（PC）	保留	页模式（PM）	保留

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