TQ2440 Nand Flash

    nandflash在对大容量的数据存储中发挥着重要的作用。相对于norflash，它具有一些优势，但它的一个劣势是很容易产生坏块，因此在使用nandflash时，往往要利用校验算法发现坏块并标注出来，以便以后不再使用该坏块。
    nandflash没有地址或数据总线，如果是8位nandflash，那么它只有8个IO口，这8个IO口用于传输命令、地址和数据。
    nandflash主要以page（页）为单位进行读写，以block（块）为单位进行擦除。
    每一页中又分为main区和spare区，main区用于正常数据的存储(main就是每页的2048字节)，spare区(spare就是每页的后64字节)用于存储一些附加信息，如块好坏的标记、块的逻辑地址、页内数据的ECC校验和等。
    s3c2440内部集成有内部sram（steppingstone），当选择从nandflash启动的时候，nandflash的前4k代码将会自动copy到内部sram中后运行。
    Nand FlashECC:
S3C2440在读/写操作时，自动生成2048字节的奇偶校验码。
nand flash的页为2048B。在读写的时候每页会产生28bit的ECC校验码。
28bit ECC校验码 = 22bit 线校验码 + 6bit列校验码
ECC产生模块执行以下步骤：
1：当MCU写数据到NAND时，ECC产生模块生成ECC码。
2：当MCU从NAND读数据时，ECC产生模块生成ECC码同时用户程序将它与先前写入时产生的ECC码作比较。在自动引导模式下，不进行ECC检测。因此，NANDFLASH的前4KB应确保不能有位错误（一般NANDFLASH厂家都确保）。
ECC 硬件校验指导：
1.在读或写数据前，复位ECC寄存器(往initECC[NFCONT[4]]写'1')并且清MainECCLock(NFCONT[5]为'0')(注：MainECCLock(NFCONT[5])和SpareECCLock(NFCONT[6])控制ECC校验码的生成)
2.你在读或写数据的同时，ECC模块会自动生成校验码放到NFMECC0/1寄存器。
3.在你读或写数据完成后，设置MainECCLock位为1，这样你就可以检查ECC状态寄存器了，
并且可以获得ECC校验码。
4.最后你就可以把校验码写入spare空间(写Nand)或者检查错误位(读Nand)了。
坏块管理
　  由于NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠，因此，在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块。坏块的特性是：当编程/擦除这个块时，不能将某些位拉高，这会造成PageProgram和BlockErase操作时的错误，相应地反映到StatusRegister的相应位。
    (1) 固有坏块，这是生产过程中产生的坏块，一般芯片原厂都会在出厂时都会将坏块第一个page的spare area的第6个Byte标记为不等于0xff的值。
    (2) 使用坏块，这是在NANDFlash使用过程中，如果BlockErase或者PageProgram错误，就可以简单地将这个块作为坏块来处理，这个时候需要把坏块标记起来。为了和固有坏块信息保持一致，将新发现的坏块的第一个page的 spare area的第6个Byte标记为非0xff的值。
    (3) 坏块管理
　   根据上面的这些叙述，可以了解NANDFlash出厂时在sparearea中已经反映出了坏块信息，因此，如果在擦除一个块之前，一定要先check一下spare area的第6个Byte是否是0xff，如果是就证明这是一个好块，可以擦除；如果是非0xff，那么就不能擦除。
    (4)需要对前面由于PageProgram错误发现的坏块进行一下特别说明。如果在对一个块的某个page进行编程的时候发生了错误就要把这个块标记为坏块，首先就要把其他好的page里面的内容备份到另外一个空的好块里面，然后，把这个块标记为坏块。
    当然，这可能会犯"错杀"之误，一个补救的办法，就是在进行完页备份之后，再将这个块擦除一遍，如果BlockErase发生错误，那就证明这个块是个真正的坏块，那就毫不犹豫地将它打个"戳"吧！
　  (5)可能有人会问，为什么要使用sparearea的第六个Byte作为坏块标记。这是NANDFlash生产商的默认约定。
Nand Flash寄存器说明：
    NFCONF0x4E000000 Nand flash配置寄存器
TACLS [13:12] 表示CLE/ALE命令地址锁定信号建立后到nWE信号建立时间(setuptime)。
TWRPH0 [10:8] 表示nWE的持续时间。
TWRPH1 [6:4]  表示nWE锁存结束后CLE/ALE维持时间(hold time)。

TQ2440配有K9F2G08U0A-P 256M Nand Flash
因为HCLK为100MHZ，所以一个clock为10ns
TACLS  = tCLS- tWP = 12ns - 12ns = 0ns = 0/HCLK
TWRPH0 = tWP = 12ns = 2/HCLK
TWRPH1 = max(tCLH, tALH) = max(5ns, 5ns) = 5ns =1/HCLK
    NFCONT0x4E000004 Nand flash控制寄存器
Lock-tight [13] 0：Disable 1：Enable
此位一旦设置为1，不能清除，唯有在复位和唤醒时能够使此位无效（软件不能清除）当设置为1时，范围为NFSBLK(0X4E000038)到NFEBLK(0X4E00003C)-1不被锁定，在这范围之外，写和擦除命令是无效，只有读命令是允许的。当你试图写或擦除锁定区域，违规存取将发生，NFSTAT[3]被设置NFSBLK和NFEBLK相同，全部区域将被锁定
Soft-lock [12] 0: Disable 1: Enable
软件锁定能在任何时间被软件修改，当设置为1时，范围为NFSBLK(0X4E000038)到NFEBLK(0X4E00003C)-1不被锁定，在这范围之外，写和擦除命令是无效，只有读命令是允许的。当你试图写或擦除锁定区域，违规存取将发生，NFSTAT[3]被设置，NFSBLK和NFEBLK相同，全部区域将被锁定
EnblllegalAccINT [10] 0: Disable 1: Enable
访问锁定的区域时是否触发中断。
EnbRnBINT   [9]   0: Disable 1: Enable
Nand Flash ready or Busy是否通过中断方式通知
RnB_TransMode       [8]        RnB转换检测信号设置
0：上升沿 1：下降沿
SpareECCLock  [6]  ECC硬件校验，校验OOB区
MainECCLock   [5]  检验data区
InitECC       [4]  初始化ECC (只写寄存器)
Reg_nCE       [1]  控制发出片选信号
0: 选中芯片   1: 取消选中
MODE          [0]  Nand flash 控制器开关
0: 关闭      1: 打开
 
    NFCMMD0x4E000008   Nand Flash 命令寄存器
想向Nand Flash发命令，只要把命令写到这个寄存器里面就行了。
    NFADDR0x4E00000C   Nand Flash 地址寄存器
    NFDATA0x4E000010   Nand Flash 数据寄存器
    NFSTAT0x4E000020   Nand Flash 状态寄存器
IllegalAccess [3]  当softlock或tightlock，非法操作后这一位被置'1'
RnB_TransDetect [2] 当RnB由低向高电平转变是，该位被设置并发出中断，如果中断允许，要清除该位向该位写'1'
RnB [0] 只读 0: busy 1:ready
K9F2G08容量为256MB，分为131072行（页），2112 x 8列。每页大小为2048字节，另外有64字节的额外空间，这64字节的空间的列地址为2048—2111。命令、地址、数据都通过8个I/O口输入/输出，这种形式减少了芯片的引脚个数，并使得系统很容易升级到更大的容量，写入命令、地址或数据时，都需要将WE#、CE#信号同时拉低。数据在WE#信号的上升沿被锁存，其中CLE为命令锁存信号、ALE为地址锁存信号。整个芯片为(256+8)MB，因此，需要29根地址线来寻址，这样，如果我们以字节为单位发出寻址信号，总共需要5个周期，其中2周期列地址信号，3周期的行地址信号。
地址疑惑：
    我们知道，K9F2G08容量为256M，故其需要28位地址进行寻址，每一页容量为2K，需11位地址，共有131072行，需要地址17位，页和行地址相加为28位正好寻址256M,，而上表中用的地址为29位，再看看页地址[A0~A11]12位，可寻址空间为4K，行地址[A12~A28]17位，可寻址空间为131072行，显然页地址多出一位，其寻址空间扩大了一倍。当我们考虑地址[0x800=2048=2^11]寻址时，由于一页大小为2048，其地址范围为[0~2047]，0x800应为第一页第一个字节。其列地址为0，行地址为1(A11为行地址第一个位)。但当我们按上表分析该地址时，其列地址为0x800（2048）行地址为0，那么该地址读取的数据为第0页第2048个字节（即SPACE区域的第一个字节），显然问题的关键在A11上，也就是说当A11为1时，我们寻
址空间为页2048~2111（共64字节）。通过实际检验，可以断定，我们地址addr[11]应为行地址第一位，读取Main页地址（0~2047）范围内时，A11必须置0，访问space区域时，A11必须置1，由我们根据需要决定，不从地址中取值，故行地址应从a[11]位开始。
操作命令字介绍 
操作NAND　FLASH时，先传输命令，接着输出地址，最后读/写数据，期间还要检查FLASH的状态。具体的命令字见下表。