TQ2440 学习笔记—— 7、NOR Flash 和 NAND Flash

非易失闪速存储器Flash 具有速度快、成本低、密度大的特点。

Flash 存储器主要有 NOR Flash 和 NAND Flash两种类型,总的来说, NOR 型比较适合存储程序代码,NAND 型则可用做大容量数据存储。


1、NOR 型 Flash 存储器

  NOR Flash 技术是由Intel 公司于1988年首先开发,它的出现彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。

NOR 的特点是芯片内执行(XIP,eXecute In Place),这样应用程序就可以直接在Flash 闪存内运行,不必再把代码读到系统的RAM中。NOR 的传输效率很高,但写入速度与擦除速度很低。NOR Flash 就是一个掉电后也不会丢失数据的SRAM。


2、NAND 型 Flash 存储器

NAND Flash 是当今市场上最主要的非易失大容量闪存。1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。

NAND 结构能提供极高的存储密度,并且写入和擦除速度也很快。NAND Flash 具有非易失性、电可擦除性、可重复编程以及高密度、低功耗等特点。


3、NOR Flash 和 NAND Flash 的对比

NOR   Flash NAND Flash 
接口时序同SRAM,易使用 地址/数据线复用,数据位较窄
读取速度快读取速度较慢
擦除速度慢,以64~128KB的块为单位擦除速度快,以8~32KB的块为单位
写入速度慢(因为一般要先擦除)写入速度快
随机存取速度较快,支持XIP,适合代码存储。在嵌入式系统中,常用于存放引导程序\根文件系统等顺序读取速度快,随机存取速度慢,适用于数据存储。在嵌入式系统中,常用于存放文件系统等
单片容量较小,1~32MB单片容量较大8~128MB,提高了单元密度
最大擦写次数10万次最大擦写次数100-1000万次

如果需要在NAND器件上运行代码,需要驱动程序的支持。在Linux下也就是内存技术驱动程序MTD


4、TQ2440  NOR Flash 和 NAND Flash 启动

开发板在裸机的情况下就是相当于直接操作单片机,没有操作系统,变成操作系统需要分别烧入:引导程序bootloader、内核kernel、文件系统。

bootloader 是引导CPU从哪里开始运行的,它的启动过程分为两个阶段。

NOR Flash 启动过程

代码运行从0x0000 0000开始,从NOR Flash 启动时,0x0000 0000这个地址就映射在 NOR Flash 上,所以CPU 可以直接从 NOR Flash 开始运行。一般bootloader 这段代码存放在NOR Flash 上。


NAND Flash 启动过程

NAND Flash 控制器自动把 NAND Flash 存储器前的 4K 载到Stepping stone (内部SRAM缓冲器),并把0x0000 0000 设置为SRAM 的起始地址,CPU从内部SRAM 的0x0000 0000开始启动,这个过程不需要程序干涉。

NANDFlash控制器

NANDFlash控制器自动把nandflash存储器的前4K载到Steppingstone(内部SRAM缓冲器),并把0x00000000S设置为内部SRAM的起始地址,cpu从内部SRAM的0x00000000开始启动,这个过程不需要程序干涉。程序员需要完成的工作就是将最核心的代码放在NAND Flash 的前4K 中。4K代码要完成S3C2440 的核心配置以及启动代码的剩余部分拷贝到SRAM中。

完成的任务:一上电,将NAND Flash 的前4K 复制到片内SRAM;然后关看门狗;初始化存储管理器,把代码拷到SDRAM继续执行。(韦东山 存储器管理实验)

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• 电源电压 - 1.65V ~ 1.95V - 2.70V ~ 3.60V • 组织结构 - 存储单元阵列: (256M + 8M) x 8bit - 数据寄存器: (2K + 64) x 8bit • 自动的编程(写入)和擦除 - 页编程: (2K + 64)Byte - 块擦除: (128K + 4K)Byte • 页读取操作 - 页面大小 : (2K + 64)Byte - 随机读取 : 25µs(最大.) - 串行访问 : 25ns(最小.) (*K9F2G08R0A: tRC = 42ns(最小)) • 快速编程周期时间 - 页编程时间: 200µs(典型值) - 块擦除时间: 1.5ms(典型值) • 命令/地址/数据复用I/O端口 • 硬件数据保护 • - 编程/擦除在电源转换分离 可靠的CMOS浮栅技术 -耐力: 100K编程/擦除周期(有1bit/512Byte ECC) 数据保存时间: 10 年 • 命令式操作 • 带有1bit/528Byte EDC的智能Copy-Back编程 • 唯一的ID版权保护 • 封装 - K9F2G08R0A-JCB0/JIB0 : 无铅封装 63 - Ball FBGA I (10 x 13 / 0.8 mm 间距) - K9F2G08U0A-PCB0/PIB0 : 无铅封装 48 - Pin TSOP I (12 x 20 / 0.5 mm 间距) - K9F2G08U0A-ICB0/IIB0 52 - Pin ULGA (12 x 17 / 1.00 mm 间距) 本文档提供的为256Mx8bit的版本,K9F2G08X0A是2G-bit大小的NAND Flash存储器,带有64Mbit额外数据区(OOB区、冗余区)。此 NAND存储颗粒为固态存储市场应用提供了最具成本效益的解决方案。编程(写入)操作可以在200µs(典型值)对大小为(2K+64)Byte的页 进行写入,擦除操作可以在1.5ms(典型值)擦除大小为(128K+4K)的块。读取数据寄存器的数据周期时间为25ns(1.8v设备为42ns) 每字 节。I/O端口可以作为地址和数据输入/输出,也可以作为命令输入。芯片上的写控制器自动完成所有的编程和擦除功能包括脉冲重复、 并内部核查和数据余量(如有需要)。即使是写入操作频繁的系统,也可以通过K9F2G08X0A采用实时映射算法的ECC(错误纠正码)来加 强多达的100K编程/擦除周期的可靠性,K9F2G08X0A是一个用于大型非易失性存储应用的最佳解决方案,例如固态文件存储和其他用 于非易失性要求的便携式存储应用。
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