裸奔程序7(一)-NAND芯片的读写及ECC检验软硬件实现

本文详细介绍了NAND Flash的工作原理、控制器特性、操作方法、ECC校验以及坏块管理。在读写过程中,NAND Flash会自动生成ECC校验码以检测数据错误。坏块管理包括固有坏块和使用坏块的标记与处理。通过设置NAND寄存器,可以控制读写操作和ECC功能。以S3C2440为例,展示了NAND Flash的寄存器配置和操作流程。
摘要由CSDN通过智能技术生成

第一节概论

nandflash在对大容量的数据存储中发挥着重要的作用。相对于norflash,它具有一些优势,但它的一个劣势是很容易产生坏块,因此在使用nandflash时,往往要利用校验算法发现坏块并标注出来,以便以后不再使用该坏块。nandflash没有地址或数据总线,如果是8位nandflash,那么它只有8个IO口,这8个IO口用于传输命令、地址和数据。nandflash主要以page(页)为单位进行读写,以block(块)为单位进行擦除。每一页中又分为main区和spare区,main区用于正常数据的存储,spare区用于存储一些附加信息,如块好坏的标记、块的逻辑地址、页内数据的ECC校验和等。
s3c2440内部集成有内部sram(steppingstone),当选择从nand flash启动的时候,nand flash的前4k代码将会自动copy到内部sram中后运行。
(一)nand flash控制器的特性:
1、支持读/写/编程 NAND FLASH内存
2、系统复位后nand flash的前4k代码自动copy到内部sram,copy完  成后从sram启动,此时内部sram被映射为nGCS0。(当OM[1:0]=    00时使能NAND FLASH 启动模式)
3、支持硬件ECC校验
4、系统启动后内部ram可以用做其他的用途。
(二)操作nand flash方法
1、设置nand flash配置寄存器NFCONF
2、向命令寄存器NFCMD写入操作命令
3、向地址寄存器NFADDR写入地址
4、读/写数据前要读取状态寄存器NFSTAT来判断nand flash是否处于忙状态。
(三)ECC奇偶检验
S3C2440在读/写操作时,自动生成2048字节的奇偶校验码。
nand flash的页为2048B。在读写的时候每页会产生4个bit大小的ECC校验码。
28bit ECC校验码=22bit 线校验码+6bit列校验码
ECC产生模块执行以下步骤:
1:当MCU写数据到NAND时,ECC产生模块生成ECC码。
2:当MCU从NAND读数据时,ECC产生模块生成ECC码同时用户程序将它与先前写入时产生的ECC码作比较。
在自动引导模式下,不进行ECC检测。因此,NAND FLASH的前4KB应确保不能有位错误(一般NAND FLASH厂家都确保)。
(四)坏块管理
   由于NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠,因此,在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块。坏块的特性是:当编程/擦除这个块时,不能将某些位拉高,这会造成Page Program和Block Erase操作时的错误,相应地反映到Status Register的相应位。
(1) 固有坏块,这是生产过程中产生的坏块,一般芯片原厂都会在出厂时都会将坏块第一个page的spare area的第6个bit标记为不等于0xff的值。
   (2) 使用坏块,这是在NAND Flash使用过程中,如果Block Erase或者Page Program错误,就可以简单地将这个块作为坏块来处理,这个时候需要把坏块标记起来。为了和固有坏块信息保持一致,将新发现的坏块的第一个page的 spare area的第6个Bit标记为非0xff的值。
    (3)坏块管理
    根据上面的这些叙述,可以了解NAND Flash出厂时在spare area中已经反映出了坏块信息,因此,如果在擦除一个块之前,一定要先check一下spare area的第6个bit是否是0xff,如果是就证明这是一个好块,可以擦除;如果是非0xff,那么就不能擦除。
当然,这样处理可能会犯一个错误―――“错杀伪坏块”,因为在芯片操作过程中可能由于电压不稳定等偶然因素会造成NAND操作的错误。但是,为了数据的可靠性及软件设计的简单化,我们就要奉行“蒋委员长”的“宁可错杀一千,也决不放过一个”的宗旨。
    (4)需要对前面由于Page Program错误发现的坏块进行一下特别说明。如果在对一个块的某个page进行编程的时候发生了错误就要把这个块标记为坏块,首先就要把其他好的page里面的内容备份到另外一个空的好块里面,然后,把这个块标记为坏块。
    当然,这可能会犯“错杀”之误,一个补救的办法,就是在进行完页备份之后,再将这个块擦除一遍,如果Block Erase发生错误,那就证明这个块是个真正的坏块,那就毫不犹豫地将它打个“戳”吧!
   (2)可能有人会问,为什么要使用spare area的第六个bit作为坏块标记。这是NAND Flash生产商的默认约定。

第二节 NAND寄存器设置说明
对NAND数据的读写主要通过NAND寄存器来实现,下面介绍其主要的寄存器
一、NFCONF寄存器
TACLS        [13:12]        TACLS持续时间设置, 取值范围0~3,hclk*tacls
twrph0      

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