MODE 仿真 varFDTD

varFDTDvideos 链接: link

微环示例链接: link

var FDTD功能定义链接: link

MODE仿真中的××代表什么含义

运行仿真前，需要使用Material Explorer 检查material是否合适。

slab mode（也就是绿色×） 使用effective index方法计算参考slab mode，生成有效2维材料折射率，用于将3D问题转为2D。
slab mode需要计算包含了核心材料结构（包含了大部分功率）的垂直界面。

使用

打开varFDTD编辑，effective index，
在slab mode position处修改×的位置，仿真si波导器件，si是核心材料，所以放在si波导上， 设置绿色×位置包含si。

绿色蓝色的×都可以放到求解区外，只要z方向截面正确。

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effective index有效折射率法

用于计算wg slab有效折射率的方法， 具体计算原理链接: link

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四个蓝色×，对应于测试点的位置

Material Explorer会显示slab mode和test points计算的effective index。

测试点只显示Material Explorer中指定位置计算出的effective index。

test点位置对仿真结果没有影响。数量可以修改，减少重复的材料测试。

test点用于研究在这些区域中创建的材料的测试点的x,y坐标。可以在Material Explorer中访问与每个测试点相对应的生成的测试材料。

注意

测试点的坐标是相对于求解器区域的中心位置的。

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Material Explorer

链接: link
材料库中的材料与FDTD解决方案相同，新材料也可以以相同的方式添加到材料库中。
一旦添加了varFDTD求解器区域，材料资源管理器将报告在板模位置和在varFDTD求解器区域中设置的测试点上的有效材料属性。
材料资源管理器不会显示3D结构中使用的物理材料的材料属性，因此要查看原材料数据，您需要删除求解器区域或激活不同的求解器区域。
如果将varFDTD求解器区域的“有效索引”选项卡中的带宽设置为“窄带”，则在模拟的中心频率处计算有效索引，因此模拟的材料属性将仅在中心频率处正确。

如果将带宽设置为“宽带”，则在模拟范围内的多个点上计算材料属性，并在该范围内使用材料拟合。
有效材料的材料数据可以用与FDTD解决方案相同的方法进行绘制和拟合。

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Polarizaion选择slab mode的模式

Emode 选择电场极化在XY平面上的模式，Hmode选择电场沿Z方向的计划模式。

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Simulation bandwidth

NARROWBAND:
只在模拟的中心频率处取材料特性。此选项应用于单频模拟(或当感兴趣的频率范围非常窄时)，因为在模拟的整个频率范围内只生成一个(n,k)值。
不包含材料色散。

BROADBAND:
创建一个分散的材料模型来拟合基于以下设置的effect index materials
maximum number of materials: 由effect index方法创建不同材料的最大数量
number of samples:用于拟合材料的样本点数量
max coefficients, fit tolerance, imaginary weight, improve stability, make fit passive: 用于拟合生成的样本数据的参数
包含材料色散
参见链接: link

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VS 3d FDTD

链接: link

光谱中峰值的高度和波长发生了移位，但两者的自由光谱范围是一致的。
这种差异是因为在直波导和环形之间的耦合区域存在一些垂直耦合。
varFDTD假设不存在垂直耦合，高估了器件的耦合效率，并且在直线波导与环形之间的耦合模式的有效指数中也引入了一些误差。
有效指数与三维情况的差异可以被认为相当于间隙距离或耦合长度的微小变化，这会导致频谱中的峰值移位。
由于三维时域有限差分模拟考虑了垂直方向上的损耗，因此使用三维时域有限差分模拟的频谱的峰值具有较低的振幅。
两种方法的自由光谱范围或峰之间的间距是相同的，因为该值取决于不受近似值影响的组指数和路径长度。
与在varFDTD和3D FDTD的差异对比，每个器件制造中的微小差异将导致制造后单个器件之间的谐振频率和Q因子的更大变化。

利用模式扩展监视器提取环形谐振器的s参数，以获得输入和输出端口基态TE模式的前向和后向传播功率。
两种仿真模型的结果S参数的实部相位表现出相同的趋势。
与3D FDTD相比，使用varFDTD时，仿真内存需求降低了15倍以上，仿真时间快了100倍以上。

综上所述，
尽管器件的某些特性，如直波导和环之间的耦合系数可能会受到varFDTD方法假设的影响，
但其他结果，如自由光谱范围，可以与3D FDTD相媲美。
由于设计参数的变化，器件性能的趋势也将与3D FDTD模拟相同，模拟时间要短得多。

环形谐振器是一个特殊的例子，可以清楚地看到变时域有限差分法近似的影响。
对于不包含任何在垂直方向上引入损耗的组件的平面器件，例如脊波导锥、mmi或用于阵列波导光栅的星形耦合器，varFDTD和3D FDTD之间的模拟精度要接近得多。

凭借较低的仿真时间，varFDTD可以用于确定特定设计参数的影响，并通过运行多次仿真来缩小设计参数的范围，从而优化设计，从而获得最佳的器件性能。
三维时域有限差分(FDTD)仿真或电磁干扰(EME)仿真耗时较长，可用于验证结果并获得最终的高精度结果。