晶振旁边并联1M或者10M欧姆电阻的原因

晶振可以将电信号转化成机械振动，进而产生稳定的频率信号，保证设备的正常运行。

晶振内部有一个电容器，当电压施加在电容器上时，晶体会振动，进而产生稳定的频率信号。晶振的频率一般在几十千赫兹到几百兆赫兹之间，是非常精确的。

晶振的频率决定了单片机的工作频率。

晶振并联1M电阻的原因，主要是为了减小晶振的输出波形的谐波分量，进而提高晶振的稳定性。我们知道，晶振的输出波形不是完美的正弦波，而是由基波和多个谐波分量组成的。这些谐波分量会干扰电子设备的正常运行，因此需要采取措施减小它们的影响。

 （1）1M电阻并联在晶振的输出端，可以形成一个低通滤波器。这个滤波器的截止频率大约在几千赫兹左右，可以滤除晶振输出波形中的高频谐波分量。这样一来，晶振的输出波形就更加接近正弦波，而且波形的畸变程度也更小了。这样可以有效地提高晶振的稳定性和可靠性，减小它对电子设备的干扰。

 （2）除了减小谐波分量，1M电阻并联还有一个作用，就是提高晶振的抗干扰能力。我们知道，电子设备中会存在各种干扰源，例如电源噪声、电磁辐射等。这些干扰源会对晶振产生干扰，导致晶振输出波形的畸变和频率偏移。1M电阻并联可以形成一个电阻分压网络，将部分干扰信号滤除，进而提高晶振的抗干扰能力。

    总之，晶振并联1M电阻的原因是为了减小谐波分量、提高晶振的稳定性和可靠性、提高晶振的抗干扰能力。这种设计在很多电子设备中都得到了广泛应用，是一种非常有效的电路设计方案。

建议MHz晶振并联1M欧姆，KHz晶振并联10M欧姆。

除了之外，还有串联电阻；

在无源晶振起振电路中，通常我们会发现存在两个电阻：并联电阻和串联电阻。

1、并联电阻又叫反馈电阻，它使反相器在振荡初始时处于线性工作区。如果我们需要稳定无源晶振的输出波形，就需要增加这个并联电阻。

2、当无源晶振输出波形出现削峰/畸变时，则晶振可能存在过驱现象，可增加这个串联电阻。串联电阻与匹配电容组成网络，提供180度相移，同时起到限制振荡幅度，防止反向器输出对晶振过驱动将其损坏。串联电阻阻值一般在几十欧姆，其具体阻值请根据晶振本身电阻及过驱程度来确定。