《闪存问题之PROGRAM DISTURB》总结

本文介绍了闪存中的数据错误原因——PROGRAM DISTURB,详细阐述了编程操作过程中导致比特翻转的机制,包括Program操作的原理、Program Disturb和Pass Disturb的影响,以及它们与Read Disturb的区别。

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SSD之所以需要BCH或LDPC等ECC纠错算法,是因为闪存中的数据会在神不知鬼不觉的情况下发生比特翻转。

导致比特翻转的原因很多,比如之前提到的data retention 问题, PE问题,read disturb问题,还有其他一些问题。Program Disturb也是其中原因之一,今天就介绍一下什么是Program Disturb,它是如何导致数据出错的。

要对闪存Block进行擦除操作,擦除是把浮栅极里面的电子赶出来。它的实现是在衬底加一个高电压,控制极接地,之间建立一个强大的电场,浮栅极里面的电子在隧道效应作用下,被强制驱赶出来。

Program操作是在Block擦除的基础上,通过往浮栅极注入电子,实现1变为0。往浮栅极注入电子,做法与擦除操作相反,它是在控制极加个高电压,衬底接地,建立一个与擦除相反的强电场,外面的电子在隧道效应作用下,进入浮栅极。

Program是按Page为单位进行的,每个Page由很多bitli

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