串起点滴

NAND闪存发明，颠覆性的我们的信息存储，改变了我们的生活。学习闪存，重点掌握：闪存组织架构不同生产工艺闪存的特点：延迟、寿命、误码、读写方式指令集， 不止会用到基本读写擦， 还要学会各种并行操作， 如： 顺序页之间 Cache Program/Read 多Plane 并行写、并行读 多CE interleave并行写、并行读 多通道并行写、并行读闪存特性以及应用管理机制

目录前言1. 主控芯片技术1.1 主控组成原理1.2 主控技术前沿1.2.1 主控处理器架构1.2.2 主控制程1.2.3 闪存对主控带来的挑战2 国产主控厂商和产品2.1 华澜微(Sage)2.2 国科微（GOKE）2.3 联芸科技 (MAXIO）2.4 得一微电子（YEESTOR）2.5 英韧科技（InnoGrit）2.6 特纳飞 Tenafe前言我给祖国庆个生，来分享下存储芯片国产进展。存储芯片生态包含设计环节和制造封装环节还有品牌营销环节。设计环节是核心技术，包含闪存芯片、闪存主控芯片、缓存

固态硬盘（SSD）依靠卓越的性能，闪电般的速度，成为时下电脑用户的宠儿。很多人听说过固态硬盘，但不知道固态硬盘错综复杂的分类是啥啥啥，本文深入浅出一一分解。

生活、工作、休闲及娱乐都会进行信息交换、文件数据的存储以及智能设备的交互等，这也都离不开存储设备，而这些存储设备里最核心的就是NAND闪存技术。“闪存改变世界，记忆下一个未来”，小小的闪存作为上世纪最伟大的发明，它存储着我们过去的精彩视频和照片，也在启迪着未来的发展。如果你是一个数码爱好者，应该对NAND闪存一点都不陌生，如果你是一个数码小白，那么，看完这篇文章，你应该就懂了，为什么说NAND闪存的发明如此重要。

今天，无处不在的科技，都离不开网络、计算和存储。其中信息存储的发展历史最悠久，堪称万年进化史。从文明诞生以来，人类就一直在寻求能够更有效存储信息的方式， 从4万年前的洞穴壁画、6000年前泥板上的楔形文字，到今天普及的SSD/闪存，再到对量子存储、DNA存储技术的探索，脚步从未停止。

目前市场上SSD主要有两种：一种是SATA SSD，另一种则是PCIe SSD。但是与SATA SSD相比，PCIe SSD的性能有成倍提升。随着市场存储需求的变化，以及PCIe SSD技术的改进，PCIe 3.0 SSD呈快速上涨趋势，并已然成为市场主流。目前，机器学习、数据分析和高性能渲染等新兴应用正在推动PCIe SSD的发展。预计2022年至2026年，市场将呈现PCIe 3.0、PCIe 4.0和PCIe 5.0 SSD同堂的局面.NAND制造商通常会在NAND技术出现重大变化或开发新的存

存储芯片生态包含设计环节和制造封装环节还有品牌营销环节。设计环节是核心技术，包含闪存芯片、闪存主控芯片、缓存芯片。本文从闪存芯片维度，介绍存储国产化的进展。本文内容聚焦于闪存存储，不设涉及其他存储介质，如光盘，磁盘。本文主要是以固态硬盘和嵌入式存储为主。对SD卡片类或U盘因技术较成熟，其基本存储原理和固态硬盘相似，只是和主机交互不同，本文不再赘述。1. 闪存国产闪存利用电容存储电子来表示0/1的数据，来存储二进制数据。

Flash属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)，即使断电了，也不会丢失.对于NAND Flash的写入（编程)，使得悬浮门存储的电荷够多，超过阈值Vth，就表示0。对于NAND Flash的擦除(Erase)，就是对悬浮门放电，低于阀值Vth，就表示1。挑战主要在1.需要先擦除才能写入。2.损耗机制，有耐久度限制。3.读写时候造成的干扰会造成数据出错。4.数据的保存期。5.对初始和运行时候的坏块管理。

传统上，NAND 单元以 2D 方式排列，单元数越多，驱动容量就越大（每个芯片的内存增加）。但正如摩尔定律的消亡告诉我们的那样，可以缩小硅片的程度是有限的。因此，由于 2D 中没有单元格，我们开始将它们一个一个地堆叠起来，这称为 3D NAND。它不仅更便宜，而且速度更快，而且更节能。制造商通常将基于 TLC 和 QLC 的 SSD 与 3D 堆叠或 VNAND 配对，以进一步提高性价比，使驱动器更加实惠。

在晶圆制造过程中，会对Wafer中的每个Die进行严格测试，通过测试的Die，就是Good Die，未通过测试的即为Ink Die。这个测试过程完成后，会出一张Mapping图，在Mapping里面会用颜色标记出不良的Die，故称Ink Die。

存储器的原理概括成一句话就是，通过在浮栅上注入电子改变FET阈值电压 VT 来实现存储功能。我们已经为存储器注入了灵魂，现在来铸造其肌肉，也就是如何实现注入、擦出电子的过程。注入电子主要有两种过程原理，一种是热电子注入，另外一种是F-N 隧穿（Fowler-Nordheim隧穿）。NAND不能使用热电子注入的方式, NAND是F-N隧穿，NOR是热电子注入过程.一个存储器，我们看中什么？便宜，存储密度大，存储时间久，读写速度快，读写次数多

智能手机有一个可用的存储空间（如苹果128G），电脑里有一个固态硬盘空间(如联想512G)， 这个空间是啥呢? 这个存储空间就是闪存设备（Flash Memory).Flash Memory主要可以分为NOR Flash和NAND FLASH两类。许多业内人士也分不清NAND Flash 和 NOR Flash 的区别.

采用这种结构，使得存储单元具有了电荷保持能力，就像是装进瓶子里的水，当你倒入水后，水位就一直保持在那里，直到你再次倒入或倒出，所以闪存具有记忆能力。1957 年，受雇于索尼公司的江崎玲於奈（Leo Esaki，1940～）在改良高频 晶体管 2T7 的过程中发现，当增加 PN 结两端的电压时电流反而减少，江崎玲於奈将这种反常的负电阻现象解释为隧道效应。​以上就是从闪存中读取数据的原理，往复杂了说它涉及到MOS管等复杂的半导体知识，但是如果朝简单的方向理解，我们也能轻松理解闪存表达数据的原理。

闪存颗粒是固态硬盘中数据的真实存储地，就像机械硬盘的磁盘一样。闪存颗粒flash memory是一种存储介质，重要的区别于传统机械盘存储介质就是它是一种非易失性存储器，就是断电可以保存写入的数据，以固定大小的区块为单位，不是以单个的字节为单位。

固态硬盘有SLC、MLC、TLC、QLC、PLC 五种类型。目前主流的是 TLC 颗粒固态， QLC 固态渐入佳境， PLC 固态小荷才露尖尖角。

伴随着闪存芯片的发展趋势，现如今便宜、大容量的SSD基本上都需要上QLC闪存芯片了。一时间QLC有山雨欲来之势，大容量QLC SSD的普及似乎已经触手可及。虽然现在主流是 TLC NAND（第三代）, 但下一代 QLC NAND 已来到我们身边？ 明天和还是明年？说不定就成为主流？ 带着对 QLC 的好奇心，本文分享QLC NAND 技术， 聊聊 QLC NAND 的趋势。

世界各大主流闪存厂商，如美光、海力士、铠侠和长江存储积极致力于QLC的研发，并相继推出了QLC SSD 产品。随着技术的不断进步，人们普遍担心的QLC擦写寿命少正逐渐被改善。QLC SSD 成本是最大的优势，不指望说替代 TLC SSD， 替代 HDD 指日可待。但因为 PLC NAND 本身的一些劣势， 对 NAND 闪存控制器（主控）带来了很大的挑战。

2022年8月份在美国FMS峰会上，Solidigm公司(前身为 Intel NAND 部门) 展示了全球第一款基于PLC NAND研发的SSD。这也标志着，PLC时代已正式拉开序幕。出于对 PLC 的好奇，本文分享PLC NAND 知识， 聊聊 PLC NAND 的前景。

每次看到NAND 说明书都脑袋大， 时序图看了脑壳就疼。时序图怎么看呢？本文就和大家一起学习下。

介绍NAND 上电初始时，常用命令：复位的目的和作用？　　NAND Reset 种类：FFh, FCh, FAh, FDh 区别Reset 操作步骤 和 代码实现Read ID 操作步骤 和 代码实现Read Unique ID (UID) 操作 和代码实现

Nand Flash的另一个重要操作就是写操作在NAND Flash中写操作就是page的编程操作。Page页是编程的最小单元其操作时序可以描述如下在FTL软件中为了避免“写时块擦除”操作会引入类似于Log文件系统的方式对写入的逻辑page进行重映射即实现out-of-place的写入方式。在这种写入方式中如果用户写入的数据小于一个page页那么需要将无需更新的数据从old-page中拷贝出来然后和新数据合并写入新的page中。

上面是我使用的NAND FLASH的硬件原理图，面对这些引脚，很难明白他们是什么含义, 下面先来个热身：问1. 原理图上NAND FLASH只有数据线，怎么传输地址？答1．在DATA0～DATA7上既传输数据，又传输地址当ALE为高电平时传输的是地址，问2. 从NAND FLASH芯片手册可知，要操作NAND FLASH需要先发出命令，怎么传入命令？答2．在DATA0～DATA7上既传输数据，也传输命令当CLE为高电平时传输的是命令当ALE和CLE都为低电平时传输的才是数据。

每个NAND Flash的逻辑单元LUN（图中Chip）都被划分为多个物理planes，以前常见的每个LUN有 2 plane, 现在常见的是 4 plane, 甚至还有 6 plane 的。每个plane都拥有独立于其他plane的一个cache寄存器和一个Cache寄存器（寄存器大小均为一页容量+OOB区的大小）。每个plane通过block地址的低阶地址（见下图Note 4 BA[7] 说明）寻址。flash地址分为column address和row address。

对单个plane 写， 按这样的话， 要先program plane 0 完成后， 再 program plane 1。 如果我偷偷告诉你， 两个 plane 可以一起 program, 你会不会很开心， 这样可以缩短program 时间。这便是本文介绍的 multi program 操作。

NAND Flash高性能、大容量、低功耗以及低成本。为了满足业务场景越来越严苛的性能要求，人们想了许多方法来提升基于NAND Flash的系统性能，具体可分为以下几类。1. 优化AC Timing，提升总线频率2. 使用Cache Read/Program3. 多路并发技术

NAND Flash凭借其高性能、以及低成本等特性大受欢迎，是最为广泛的非易失存储介质。为了满足业务性能要求，人们想了许多方法来提升基于NAND Flash的系统性能， 本节我们带大家探索一下其中从Cache Read 是如何提升性能， 提升大不大？

人们想了许多方法来提升基于NAND Flash的系统性能， 本节我们带大家探索一下其中从Cache Program 是如何提升性能， 提升大不大？

以NAND闪存为介质的数据存储器已非常普及，需求的容量也在大幅增加，如果不能改变NAND 型号，就无法提高单个NAND Die 的容量，那提高容量的方法便是将多片同型号的NAND闪存 Die进行类似串联、并联的连接来提高容量。容量增加的同时速度的重要性也凸显出来。

随着各种电子设备的普及，以NAND闪存为介质的数据存储器已非常普及，需求的容量也在大幅增加，如果不能改变NAND 型号，就无法提高单个NAND Die 的容量，那提高容量的方法便是将多片同型号的NAND闪存 Die进行类似串联、并联的连接来提高容量。容量增加的同时速度的重要性也凸显出来。在基础技术中，对闪存进行访问时，比如需要写入两页数据时，需要在第一页数据写完后才能继续写第二页数据，需要一定的等待时间，访问速度受到制约。

访问存储介质所需要的时间是数据传输的好几倍，而且在访问存储介质期间（BUSY）不能对NAND Flash存储器进行任何操作，这就是闪存存储系统并行性的基础。闪存存储系统具有多个独立的通道，每个通道有自己独立的通道控制器。在通道之间,使用并行传输技术,各通道之间相互独立、互不影响,多个通道并发执行读写操作,从而实现了速度和容量的提升。

为了利用好闪存， 发挥闪存的优势， 以达到更好的性能和使用寿命， 那自然要求了解闪存特性。闪存作为一种相对较新的存储介质， 有很多特别的特性。一．闪存的特性凡是采用Flash Memory的存储设备，可以统称为闪存存储。我们经常谈的固态硬盘（SSD），可以由volatile/non-volatile memory构成，其实固态硬盘的范畴是大于闪存的，只是当前的固态硬盘大多数采用闪存介质，所以很多时候我们默认固态硬盘就是闪存盘。

如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话，NAND Flash Bit 反转出错， 一般时候不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错，而是整个Page（例如512Bytes）中只有一个或几个bit出错。ECC是Error Checking and Correction，是一种用于Nand的差错检测和修正算法。本文探讨ECC差错检测和修正算法原理与实现

阈值电压(Vt或Vth)的概念是从MOS管来的。MOS的工作原理就像一个水库，Gate就是闸，闸抬起来(VGate≥Vth)电流就可以流过沟道(Channel)，闸放下去(VGate

全文 3200 字， 主要内容：形成原因，NAND Read 原理回顾，读干扰产生的原因，读干扰的影响，读干扰对电压阈值分布影响，读干扰对RBER影响，Edge WL，读指定WL的影响，如何减少读干扰的影响。

全文 3900 字， 内容摘要1. Program Disturb 形成原因， NANDProgram 原理，编程施加电压2. 写干扰的产生，Program Disturb，Pass Disturb3. Program Disturb 影响范围4. Program Disturb 规避办法

全文 1900 字， 内容摘要：Data Retention 产生，Data Retention 的影响因素，温度影响，使用寿命影响如何规避 Data Rention 问题发生Data Retention 后怎么办？