本文详细介绍了NAND闪存中Program Disturb现象的形成原因、影响范围以及规避方法。编程干扰是由于在NAND闪存单元编程时，施加的电压导致相邻单元受到干扰，可能会改变其存储状态。尽管ECC可以纠正部分错误，但过多的干扰可能导致数据错误。文章还讨论了Pass Disturb和Program Disturb的区别，并提出了ECC纠错和数据迁移作为应对策略。
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[SSD NAND 8.5] NAND Flash 失效之 Program Disturb | 闪存写入(编程)干扰
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