一种高分辨率高灵敏度的巨磁阻抗效应非晶丝微磁传感器研制

非晶丝材料是一种新型的磁敏感材料，最早的日本等国家基于非晶丝材料研制的微磁传感器展现出其具有低成本、小体积、低功耗、快速响应的综合优势，相比市场成熟的并大量使用的磁阻传感器而言，具有迟滞小、响应速度快、分辨率高、灵敏度高、功耗低的优势。目前非晶丝微磁传感器在无人机、手机、机器人等智能化设备上有普遍的应用。本文从材料的热处理、非晶丝的探头设计、电路设计和器件选型四个方面进行阐述如何基于一种非晶丝材料研制出分辨率高、灵敏度高的微磁传感器。

1.非晶丝处理

由于非晶丝本身的非晶特征，当温度过高时材料容易发生结构驰豫或晶化等现象，同时在非晶丝制备过程中由于超高的冷却速率一般也会引入较大的残余应力。

因此非晶丝在作为敏感材料使用前一般需要进行热处理。热处理的目的是在材料非晶相中形成部分纳米晶相从而获得软磁性能优异的非晶/纳米晶复合结构。常规的处理方式是使用等温热处理方式来消除制备过程中引入的残余应力。然而等温热处理存在处理周期长、材料消耗大、工艺控制难等问题，而且等温热处理对于非晶丝性能提高的作用也有限。采用脉冲电流热处理方法，具体为: 取直径为20－40μm，一定长度的非晶丝，在所述非晶丝的两端通频率为 10kHz，一定占空比，一定密度的脉冲电流，通电一定时长后，完成热处理，如设置激励信号:幅值为5V、频率为 10kHz，占空比为30%; 电流密度150-180A/mm2，定偏置线圈的匝数。设计工作量程为±1Gs，的非晶丝外绕制两层漆包线线圈，一层为感应线圈(300匝) ，退火时间约为 30min。实验结果:非晶丝对称性和灵敏度明显提高。与原丝对比热处理后非晶丝的GMI 效应由原非晶丝的230．0%提高到了325．2%，性能提高了41.4%。灵敏度由20．2%/Oe 提高到了77.2%/Oe，性能提高了368．0%。一层为偏置线圈(100匝) 。

工艺一:脉冲频率10kHz，占空比40%，电流密度 150A/mm2，热处理时长10min。

工艺二:脉冲频率10kHz、占空比35%、电流密度 180A/mm2，热处理时长8min。

 图1 两种热处理工艺后与原丝的阻抗变化比

1.非晶丝探头设计

非晶丝探头是微磁传感器达到设计性能的关键因素之一。非晶丝探头基本组成形式为: 非晶丝、感应线圈、偏置线圈。决定性能的有以下几个方面:

1) 探头的驱动方式; 2) 非晶丝的直径与长度; 3) 感应和便置线圈的直径和绕制匝数。

采用如下探头设计:

1) 采用Co基非晶，其轴向各向异性的材料灵敏度高，在材料的易磁化方向施加驱动磁场可以产生较显著的磁阻抗变化，采用横向驱动-非对角方式: 即在非晶丝上通电流，再绕制线圈上取感应电压。

2) 根据微磁传感器的性能、成本和体积大小确定非晶丝的长度; 长度越短，功耗越低，灵敏度越高。从小型化、制备难易和灵敏度综合考虑采用1mm 非晶丝长度，直径 25um 的非晶丝。

3) 绕制线圈采用直径25um，100 匝的铜漆包线。

4) 根据微磁传感器的灵敏度、工作量程确定感应线圈的匝数; 根据微磁传感器的工作线性区间确定。

5) 考虑到线圈绕制时对非晶丝的应力影响，采用玻璃管或非金属支撑管作为线圈绕制的支撑体，非晶丝穿过玻璃管或非金属支撑管。

 

图 2 非晶丝探头

3.非晶丝微磁传感器的电路设计

图3为GMI磁传感器电路设计示意图，包含5个模块。分别为激励模块、偏置模块、感应模块、检波模块、放大模块和滤波模块。

 图 3 非晶丝微磁传感器电路

3.1 激励脉冲电路

基于非晶丝的工作机理: 要有一个高频信号对材料进行激励，采用尖窄脉冲激励，其具有较强的谐波信号，非晶丝对高次谐波频率响应更灵敏，这样可以提高传感器的灵敏度，尖窄脉冲激励电路设计如图4所示。

 图 4 窄脉冲信号电路图

 图 5 各节点电压输出

由图5可看出，V4产生的尖锐窄脉冲具有较强的谐波信号，适合于给非晶丝供电。

选用 74 系列芯片产生方波信号。

3.2 信号采集电路

在脉冲激励作用下，载波峰值会随外加磁场的变化而变化，通过采集线圈采集到非晶丝变化的电压即可求得变化磁场的大小。由于线圈采集的信号混有干扰信号和线圈的感应电动势造成的干扰，通常需要从高频调幅波中检测出所需的调制信号，然后对调制信号进行放大、滤波处理。

(1) 外磁场He ，偏置磁场Hb，则总磁场H=He+Hb，当外磁场变化时，总磁场可表示为:

H(t) = He(t) +Hb (1)

非晶丝的存在，线圈内部B(t) = μH(t)。非晶丝的磁导率 μ( He，ω)，

B(He，ω t) = μ(He，ω) (He(t) +Hb) (2)

磁通量φ=BS，其中S为采集线圈截面积，若匝数为N，则总磁通量φ= NBS。线圈感应电动势为:

 若He不随时间变化，则ε1= 0。

(2) 设 GMI 的电感L和采集线圈 LC构成互感M

互感 M 与线圈的几何形状、大小、匝数、介质、相对位置有关，M(μ)即M随GMI的磁导率μ的变化而变化;

设通过GMI的电流为i(t)，系统供电为电压源A(t)，则 i(t) = A(t) /z ，总阻抗 z 为(r0+r+jωL) 。

为计算方便，设 A(t) = Asinωt，

 

图 6 励磁电路

在上述分析的基础上，我们分别考虑当施加外磁场时，磁通量φ和互感M对感应线圈的有效贡献。以图7为例。 

图 7 感应线圈采集非晶丝信号示意图

(1) LC以非晶丝为中心导磁材料，当He变化时，GMI的磁导率μ变化，则LC变化，LC(He) ;ω变化，则μ也变化，LC 变化，因此LC(He，ω)。He变化，穿过LC的磁通变化，dφ/dt 产生电压。若LC对GMI对称性好的话，该磁场对LC的磁通量φ没有贡献。

(2) 励磁信号A(t) 通过非晶丝直流电阻r和电感L 时，由于L和LC的耦合作用，导致在LC两端产生ε; 互感M由线圈的几何形状、大小、匝数、介质以及线圈之间的相对位置决定。

3.3 检波电路设计

检波常用的方法主要有两种，一种是二极管检波，另一种是模拟开关电路构成的同步检波方法。图 8 为两种包络检测电路图。

 图 8 检波电路

二极管检波电路:

(1) V i＞V0+VD

电容充电采样

(2)Vi＜V0+ VD

电容放电保持

缺点: (1) 惰性失真; (2) 信号太弱，有可能无法检测，因此先前有一级放大

模拟开关检波电路:

K 闭合: (1) V i＞V 0，电容充电采样; (2) Vi＜V 0，电容放电保持

K 断开: 电容保持

前提: 需要同步脉冲

相比较而言，模拟开关检波电路优于二极管，将图 9 电路产生的方波信号分别转换为两路脉冲信号: 一路为控制信号，一路为激励信号(图9)。对于模拟开关而言，高电平闭合，低电平断开。

 图 9 非晶丝信号采集电路

由图9 显示的波形结果可看出，V4和V5间存在24ns 的延迟，因此为保持该时刻的电压值，要求开关K: 1) 导通电阻小；2) 开关频率高，导通/断开速率快，＞50MHz；同时需考虑：线圈等效电流电阻r0、开关K 闭合时导通电阻 Rk和电容C的取值，通过（r0+ RK) * C 决定充放电时间。

K 闭合时，若u c＞ε，则u c通过线圈内阻r0 反向放电，最终u c =ε;若uc＜ε ，则正向充电，最终还是u c = ε。

模拟开关的选择：

( 1) 开关时间<24ns( 74HC14 时延* 2=24ns);

( 2) 开关导通电阻<感应线圈内阻;

( 3) 逻辑高电平时开关闭合；逻辑低电平时开关断开；

( 4) 工作电压，单电源3.3V;

( 5) 工作范围温度－40℃－125℃，拟考虑选用 ADG812 模拟开关: ADG812．与74HC14 放置一体，导通电阻 = 0.5Ω，≤0.8 Ω125℃，工作电压1.65V－3.6V，温度范围: -40℃ －125℃，载流能力: 300mA，快速开关时间:＜25ns，功耗: ＜0.1uW，封装: TSSPO16 或 LFCSP3mm* 3mm。

3.3 放大电路设计

表 1 为三种放大芯片比较表，AD8421 具有较低的输入电压噪声和功耗，因此选用 AD8421 作为信号放大器。

表 1 不同芯片参数

4.传感器工作线性区间调整

根据非晶丝探头的特点，调整偏置电阻、放大电阻、参考电压电阻，确定最佳的线性区间、输出范围。

1) 将传感器安装在亥姆霍兹线圈中心位置，非晶丝敏感方向与线圈产生磁场方向一致，施加-2000mV～2000mV 电压至线圈，观测传感器输出信号; 根据实际测试需求，不断调整偏置电阻阻值，直至传感器输出信号与输入成正比关系; 根据测试量程需求，调整一级、二级运放电阻;

2) 本实例偏置模块，偏置电阻初步设置为499Ｒ，放大模块中，一级运放电阻初步设置为1K，

二级运放电阻初步设置为10K。

5.实验测试结果

系统的性能测试平台采用磁屏蔽筒(＜0.001nT)，±3Gs 的亥姆霍兹线圈，0.1nT的高精度特斯拉计，6位半的数字万用表，uA级的高精度电流源，保证了性能的可靠性测试。

该微磁传感器的指标参数: 量程:±0.38Gs，分辨率 2nT，灵敏度1608mV/Gs，线性度1%FS，迟滞性0.5%FS，重复性1%FS，工作电流8mA。传感器的工作曲线图如图10 所示。

 图 10 传感器工作曲线图

6.结论

本文结合实例，采用改善非晶丝材料热处理方法、非晶丝探头设计，优化激励、检波和滤波电路和器件有效地提高了巨磁阻抗效应非晶丝微磁传感器的分辨率和灵敏度。在具体应用中，可根据需求进行具体设计和优化处理。